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公开(公告)号：CN102021647A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010522412.3
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法，属于红宝石晶体生长领域。将Al2O3粉料和Cr2O3粉料制成素坯棒；将料棒烧结成多晶料棒；将多晶料棒一根固定作为籽晶，一根悬挂作为料棒，使两料棒末端接触，接触处与卤素灯处于同一水平线上，两料棒在竖直方向上成一直线；在空气氛围中，四椭球卤素灯0.2-0.5h内达到3360-3550W/h的总功率，使两料棒接触处融化，保持这种功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、上移动通过熔区，晶体生长完成后，在1-2h内输出功率降至0。本发明方法生长速度快，制备周期短、效率高，红宝石长度可达50-70mm，直径可达7-9mm。
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公开(公告)号：CN103436960A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310306709.X
申请日：2013-07-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 光学浮区法生长掺稀土元素Ta2O5晶体的方法属于晶体生长领域。本发明步骤：将Ta2O5粉料与稀土元素氧化物粉料按照需要生长晶体的化学计量比进行混合；将步骤（1）中制得的混合料经过球磨、烘干、预烧、研磨过筛，然后将粉料装入长条形气球中密封，抽真空后等静压下压制成棒状的料棒；将制得的料棒经烧结后获得多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，设置升温速率为30～60℃/分钟至多晶棒和籽晶融化，调整多晶棒和籽晶的旋转速度和旋转方向，接种；然后设置晶体生长速度进行晶体生长；晶体生长结束后设置降温时间，冷却至室温。本发明无污染，周期短，效率高，能快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量的掺稀土元素的Ta2O5晶体。
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公开(公告)号：CN102021647B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010522412.3
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法，属于红宝石晶体生长领域。将Al2O3粉料和Cr2O3粉料制成素坯棒；将料棒烧结成多晶料棒；将多晶料棒一根固定作为籽晶，一根悬挂作为料棒，使两料棒末端接触，接触处与卤素灯处于同一水平线上，两料棒在竖直方向上成一直线；在空气氛围中，四椭球卤素灯0.2-0.5h内达到3360-3550W/h的总功率，使两料棒接触处融化，保持这种功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、上移动通过熔区，晶体生长完成后，在1-2h内输出功率降至0。本发明方法生长速度快，制备周期短、效率高，红宝石长度可达50-70mm，直径可达7-9mm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101962801B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010515975.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长Nb2O5晶体的方法，属于Nb2O5晶体生长领域。将Nb2O5粉制成素坯棒；将素坯棒一根籽晶杆上作为籽晶，一根悬挂于料棒杆上作为料棒，使两料棒末端接触，并且接触处在水平方向与卤素灯成一条直线，两料棒在竖直方向上成一条直线；在空气氛围中，单晶炉的卤素灯在0.2-0.5h时间内达到1600-1750W/h的功率输出，加热，使两料棒接触处融化，形成熔区；保持这种功率输出，籽晶杆和原料杆以15-20rpm逆方向旋转，原料杆和籽晶杆分别以8-15mm/h的速率向下、上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明产品无杂质、仪器简单、成本低、生长速度快，而且无需特殊气氛。
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公开(公告)号：CN101962801A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010515975.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长Nb2O5晶体的方法，属于Nb2O5晶体生长领域。将Nb2O5粉制成素坯棒；将素坯棒一根籽晶杆上作为籽晶，一根悬挂于料棒杆上作为料棒，使两料棒末端接触，并且接触处在水平方向与卤素灯成一条直线，两料棒在竖直方向上成一条直线；在空气氛围中，单晶炉的卤素灯在0.2-0.5h时间内达到1600-1750W/h的功率输出，加热，使两料棒接触处融化，形成熔区；保持这种功率输出，籽晶杆和原料杆以15-20rpm逆方向旋转，原料杆和籽晶杆分别以8-15mm/h的速率向下、上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明产品无杂质、仪器简单、成本低、生长速度快，而且无需特殊气氛。
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公开(公告)号：CN103806103A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410025472.2
申请日：2014-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种浮区法生长莫来石晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Al2O3和SiO2按照化学计量比进行配料；将配制的混合料进行球磨、烘干、过筛、预烧、再次过筛；然后将粉料压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过马弗炉烧结后得到致密均匀的多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，50～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶开始融化，对接，使熔区稳定3～5分钟后，设置晶体生长速度为2～10mm/h，开始晶体生长；生长结束后，设置降温参数冷却至室温。本发明首次用浮区法生长出无宏观缺陷的莫来石晶体，成晶质量高，生长速度快。
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公开(公告)号：CN102912438A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210353144.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法，属于Ti:Ta2O5晶体生长领域。先将TiO2和Ta2O5粉料混合球磨、预烧，压制成棒状的多晶棒；将多晶棒分别作为料棒和籽晶安装在单晶炉中，设置升温速率，进行晶体生长，设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明方法是一种快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ti:Ta2O5晶体的无坩埚生长技术。
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公开(公告)号：CN102115911B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110068628.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法，属于蓝宝石晶体生长领域，包括以下步骤：用高纯原料Al2O3、FeTiO3和Fe2O3制备多晶棒；将多晶棒放入晶体生长炉中，并套上石英管，向其中通入氧气或氩气到一定压力，关闭气体阀门；用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化，设置晶体生长速度进行晶体生长；将生长完的晶体冷却至室温；打开气体阀门，气体放出至正常大气压。本发明生长的蓝宝石晶体尺寸大、无宏观缺陷，颜色更加均匀，晶体质量得到提高。
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