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公开(公告)号：CN108267678A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201710750858.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种二极管结温在线测量校温曲线的建立方法，属于半导体器件的测量技术领域。将待测器件放入温箱当中，调节温箱温度至任意温度值并保持稳定，此时结温等于温箱的设定温度。为二极管施加一个恒定的小电流I，测量出该条件下的电压值V。因为通入的电流I很小，所以采用连续电信号不会造成温升。通过理论模型对实验数据进行整理，计算出小电流条件下的关键参数，将不随电流大小改变的参数重新代入理论模型，利用理论模型推导出大电流状态下的电流电压与温度的对应关系，并绘制校温曲线。本发明通过小电流条件下的实验结论建立大电流状态下的校温曲线库，在工程上提高了效率，拥有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104568604B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410817306.6
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 一种用于对薄膜样品施加动态均匀应力的四点法装置，属于压力加工技术领域。包括用于用于支撑整个机械装置的支架、支撑齿轮传动装置的钢板、实施加载力的齿轮、使齿轮自由转动的轴承和轴、通过程序控制并带动整个齿轮装置的步进电机；其特征在于通过通过程序控制步进电机转动，通过齿轮之间的啮合传动，使实施加载力的两个齿轮转动方向相反，从而对样品实施加载力，并且样品受到的应力均匀分布，随齿轮转动而均匀变化，使样品不容易损坏，每次试验，装置各部分位置固定，不需要重新布置，操作简单方便，实验效率高。
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公开(公告)号：CN104316855B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410539936.1
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HEMT器件的器件参数及红外热像仪测量的温度分布结果作为边界条件，建立仿真模型；并利用不同条件下红外热像仪测量的温度分布结果验证、优化模型，保证模型的准确性；根据结温测量的精度需求，利用优化后的模型提取栅极0.05um-2um分辨率HEMT器件的结温。解决了目前红外法及其它方法不能准确测量HEMT器件结温的问题。
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公开(公告)号：CN106124952A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610405945.0
申请日：2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 一种基于数学滤波算法的结温校准方法属于电子器件测试领域，传统的半导体器件结温测量方法有电学法、红外法等。由于理论误差及测量过程中噪声的存在，以上方法均不能准确测量半导体器件结温。本发明将半导体器件视为一个具有单输入，双输出，在时间上离散的动态系统。其中输入为上一时刻的热功率矩阵双输出分别为本时刻的结温及热功率矩阵通过不断递归运算对半导体器件结温进行实时，有效的校准。本发明是一种利用线性系统状态方程，通过系统输入观测系统输出，对系统状态进行最优估计的算法。该算法能在测量方差已知的情况下从一系列存在噪声的数据中，估计动态系统的状态，获得更为接近真实值的数据。
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公开(公告)号：CN103604517B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310558106.9
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法涉及半导体器件测试领域。包括如下步骤：将被测器件放置于一温度为T0恒温平台；被测器件的栅电极不进行任何外部连接；漏电极接电压源，电压源产生低电平VL，高电平为VH的阶梯电压；被测器件的源电极连接至采样电阻的一端，采样电阻阻值为R1；采样电阻的另一端接地，并将一采样频率400MHz以上的高速数据采集器接入采样电阻两端，以采集漏电流IDS；通过计算可以得到得到被测器件不同部位的温升。本发明技术可以应用于耗尽型，即常开型沟道器件等效功率下的瞬态温升测量。测量方法简单、准确，适用于电子器件的生产、可靠性和性能研究和器件开发领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103076551B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310000861.5
申请日：2013-01-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法属于半导体LED照明和显示可靠性设计和考核技术领域。本发明的主要发明点在于：在实际LED灯具中，选取、隔离部分LED作为测温元件，设计了控制外部灯具电源的同步开关方式和装置，利用瞬态温升过程曲线的采集线路和方法，在线测量实际LED灯具的热阻构成。当LED灯具实用不同的散热器，或散热器与LED器件接触不良，其各部分的热阻就不同，通过测量不同设计和装备下的热阻构成，可以优化LED灯具的散热设计，降低灯具的最高结温，保证LED灯具使用寿命和品质。该发明主要应用于快速、非破坏性确定LED灯具热阻构成的方法和装置。
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公开(公告)号：CN103278761B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310185075.7
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/18
Abstract: 一种测量薄层异质半导体材料界面温升和热阻的方法涉及半导体器件领域。将被测器件放置一温度为T0恒温平台；在栅源电极组成的肖特基结上接入一小的正向电流，结电压为V0；并将其与一采集卡相连，以采集肖特基结电压；将激光光源，调整照射光束至器件的栅极和漏极之间区域；启动激光照射的同时，启动采集卡，采集肖特基结电压V(t)随加热时间的变化；当施加的热源与恒温平台之间达到稳定状态后，结电压V(t)不再随加热时间变化，温升引起结电压随时间变化的曲线，得到器件外延层薄层以及不同部位的温升；即可得到器件内部各层的热阻。本发明使器件肖特基栅处于正向偏置测温状态，避免了状态转换切换时间，能够实现实时、快捷测量器件。
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公开(公告)号：CN104089812A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410140579.1
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N3/02
Abstract: 一种用于对样品施加均匀应力的四点法装置，属于压力加工技术领域。包括用于支撑整个装置的底座、标有固定刻度和可动刻度的旋钮、可上下移动的高度可调平台、反映加载力大小的压力传感器、实施加载力的上辊架和下辊台、用于支撑上辊架的支架、固定作用的螺钉；其特征在于通过旋钮调节高度可调平台向上移动，通过上辊架的两个上辊和下辊台的两个下辊对样品作用加载应力，且在下辊台的下辊之间的样品所受的应力均匀分布，使样品相对不易损坏，每次试验上辊架和下辊台的相对位置不变，不用重新布置，操作简单方便，试验效率高。
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公开(公告)号：CN103869233A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410128395.3
申请日：2014-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件内部薄层热阻的测量方法。测量时将半导体器件3置于恒温平台4上，仅改变与薄层1相邻的下一层材料2的厚度d，以半导体器件3有源区为热源，对不同结构的半导体器件3进行热阻测量，通过分析测得的热阻微分结构函数曲线，得到薄层1及其相邻下层材料2热阻总和R与厚度d的关系曲线，进一步确定半导体器件3内部的薄层1热阻。本发明通过测量半导体器件薄层材料与相邻下层材料的总热阻R随下层材料厚度d的变化规律，并进行函数拟合，从而测得薄层材料的热阻。解决了现有测量方法由于高电子迁移率晶体管器件中间材料热容低于上下两层材料，无法对中间薄层材料进行热阻测量的问题。
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公开(公告)号：CN103604517A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310558106.9
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法涉及半导体器件测试领域。包括如下步骤：将被测器件放置于一温度为T0恒温平台；被测器件的栅电极不进行任何外部连接；漏电极接电压源，电压源产生低电平VL，高电平为VH的阶梯电压；被测器件的源电极连接至采样电阻的一端，采样电阻阻值为R1；采样电阻的另一端接地，并将一采样频率400MHz以上的高速数据采集器接入采样电阻两端，以采集漏电流IDS；通过计算可以得到得到被测器件不同部位的温升。本发明技术可以应用于耗尽型，即常开型沟道器件等效功率下的瞬态温升测量。测量方法简单、准确，适用于电子器件的生产、可靠性和性能研究和器件开发领域。
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