-
公开(公告)号：CN118315270B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410732790.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/52 , H01L23/482 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供一种芯片基板及其制备方法、功能芯片，涉及电子制造技术领域，提供晶圆衬底，晶圆衬底包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域；对晶圆衬底的所述边缘区域进行第一刻蚀，得到第一凹槽；对晶圆衬底的中心区域和边缘区域进行第二刻蚀，得到填埋槽，填埋槽沿第一方向的深度大于第一凹槽沿第一方向的深度，填埋槽在边缘区域内的槽底深度大于或等于填埋槽在中心区域内的槽底深度；将芯片填入填埋槽内，得到芯片基板。本申请提供的制备方法通过两次刻蚀，使填埋槽的边角略低于中心区域，得到边角形貌均匀的填埋槽，该方法对填埋槽的形貌进行了有效的优化，进而提高芯片的性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN117747455B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410190422.3
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/027
Abstract: 本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理，在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔，并在通孔内填充第一金属；去除掩膜层，对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，微凸点的直径小于或等于2μm；在微凸点的间隙中形成绝缘层，得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理，可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔，基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。
-
公开(公告)号：CN116705625A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310961493.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/67 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。
-
公开(公告)号：CN113113540B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110224990.7
申请日：2021-03-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种柔性混合电子系统加工方法和柔性混合电子系统，所述方法包括：在硅基衬底的正面上刻蚀出对应减薄后的多个异质异构芯片的大小的填埋凹槽；将所述多个异质异构芯片填埋至对应的填埋凹槽内，其中，填埋后的多个异质异构芯片的正面与硅基衬底的正面齐平；实现多个异质异构芯片间的聚合物柔性连接；实现各个异质异构芯片之间的电学互连；实现对各个异质异构芯片之间的电学互连的绝缘保护；对完成绝缘保护的结构从背面进行减薄；对减薄后的结构的背面覆盖一层聚合物，进行柔性保护。本发明实施例提供的方法，基于填埋芯片的方式加工柔性混合电子系统，减少了材料损耗和加工步骤，有利于实现柔性混合电子系统的规模化制造。
-
公开(公告)号：CN114133611A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111289193.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种在聚合物材料表面制备纳米纤毛结构的方法。该方法可简单、快速且低成本地调控纳米纤毛的长度和密度分布。通过本发明方法制备的表面具有纳米纤毛结构的聚合物材料可实现对亚微米尺寸的目标物的俘获，因此可作为滤膜用于亚微米尺寸目标物的分离。本发明的纳米纤毛修饰可以实现对聚合物材料表面的亲疏水性扩展。本发明的纳米纤毛修饰还可以实现聚合物材料表面金属粘附性增强。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113540A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110224990.7
申请日：2021-03-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种柔性混合电子系统加工方法和柔性混合电子系统，所述方法包括：在硅基衬底的正面上刻蚀出对应减薄后的多个异质异构芯片的大小的填埋凹槽；将所述多个异质异构芯片填埋至对应的填埋凹槽内，其中，填埋后的多个异质异构芯片的正面与硅基衬底的正面齐平；实现多个异质异构芯片间的聚合物柔性连接；实现各个异质异构芯片之间的电学互连；实现对各个异质异构芯片之间的电学互连的绝缘保护；对完成绝缘保护的结构从背面进行减薄；对减薄后的结构的背面覆盖一层聚合物，进行柔性保护。本发明实施例提供的方法，基于填埋芯片的方式加工柔性混合电子系统，减少了材料损耗和加工步骤，有利于实现柔性混合电子系统的规模化制造。
-
公开(公告)号：CN119133066A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411248411.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种柔性电子器件的加工方法、柔性电子器件，属于半导体器件技术领域，旨在使柔性电子器件能够适用于高厚度要求的场景，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底的一侧表面制备临时键合层；将多个芯片固定于所述临时键合层背离所述衬底的一侧表面；其中，相邻两个所述芯片之间具有空隙；采用液态柔性高分子聚合物填充多个所述芯片中每两个相邻芯片之间的空隙，以实现多个所述芯片之间的柔性连接；对所述临时键合层进行解键合处理，以剥离所述衬底，得到所述柔性电子器件。
-
公开(公告)号：CN119008581A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411101622.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供一种基于硅基填埋扇出封装的双面器件及制备方法，涉及电子制造领域，包括功能区，以及设置在功能区至少一侧的连接区，双面器件包括：晶圆基底，晶圆基底在功能区内设置填埋槽；芯片，芯片设置在填埋槽内，芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面与连接区的晶圆基底表面大致齐平；第一导电图案，第一导电图案设置在第一表面与填埋槽之间，并通过填埋槽的槽壁延伸至连接区；绝缘层，绝缘层设置在芯片背离晶圆基底的一侧，绝缘层内设置有第二导电图案，第二导电图案的一端与第二表面电连接，另一端延伸至连接区。本申请芯片的第二表面与连接区的晶圆基底表面大致齐平，缩短第二导电图案导电通路，提高芯片电性能，降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN118315282B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410734128.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/473 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置，方法包括准备冷却基板和半导体器件；在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道；基于散热通道的刻蚀终点，在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道，使散热微通道与散热通道连通；将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧；在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜；将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内，并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法，解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。
-
公开(公告)号：CN118315282A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410734128.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/473 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置，方法包括准备冷却基板和半导体器件；在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道；基于散热通道的刻蚀终点，在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道，使散热微通道与散热通道连通；将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧；在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜；将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内，并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法，解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.021 seconds)
