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公开(公告)号：CN109980054A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910247542.1
申请日：2019-03-29
Abstract: 本发明提供了一种GaN纳米柱的制备方法，首先在蓝宝石衬底上形成石墨烯层，然后在所述石墨烯层上外延生长GaN纳米柱。本发明还提供了一种LED器件，依次包括蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底上的石墨烯层以及生长于石墨烯层上的GaN纳米柱。本发明提供的制备方法可以缓解蓝宝石衬底与GaN之间的晶格与热失配，显著提高了GaN纳米柱的生长质量，石墨烯还可以作为LED器件的底电极，无需另外制备电极，本发明的制备方法简单，普适性高，适合工业生产，具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109111122A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710487148.6
申请日：2017-06-23
Applicant: 北京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯-碳纳米管复合玻璃的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)将低软化温度玻璃超声清洗；2)将清洗后的低软化温度玻璃置于高温管式炉中，向反应腔内通入Ar和H2，将反应腔升温至990℃-1060℃；3)对低软化温度玻璃进行退火，待金属元素被还原至玻璃表面后，向反应腔内通入碳源性气体进行石墨烯-碳纳米管复合薄膜生长，生长时间为0.5-5h；4)石墨烯-碳纳米管复合薄膜生长结束后，关闭碳源性气体，温度降至室温后关闭Ar/H2，即得到石墨烯-碳纳米管复合玻璃。本发明能够在保证石墨烯玻璃高光透过率前提下，得到低面电阻透明导电玻璃，其热稳定性以及化学稳定性要远远优于常见ITO玻璃。
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公开(公告)号：CN109081332A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810979528.6
申请日：2018-08-24
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法，石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括纳米图形化蓝宝石衬底和石墨烯层，所述石墨烯层形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，制备出高质量石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底，可有效显示装置的性能，同时制备工艺过程简单，可控性高，适合工业批量生产。
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公开(公告)号：CN108871890A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810272364.3
申请日：2018-03-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用转移或利用化学气相沉积直接生长的石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法，其主要特点是将石墨烯转移到或者直接生长到需要制备TEM样品的材料表面，利用石墨烯来避免所需观察的材料在样品制备过程中造成的损伤与污染，并得到含有石墨烯保护层的TEM样品，若此保护层不影响实验观察，可将其直接放入透射电镜观察，若想除掉这层保护层，则在高温下(550℃)煅烧一段时间(2h)将其除去即可。本发明对于结构完整、零损伤TEM样品的制作具有重大意义。
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公开(公告)号：CN105731825B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610124592.7
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法。包括：1)在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；2)在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜。所述玻璃为耐高温玻璃，选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃等。本发明先在廉价石英玻璃、蓝宝石等耐高温玻璃上生长出石墨烯，然后将氮化铝薄膜一步法直接生长在石墨烯缓冲层上，无需经过低温氮化铝生长过程，直接大幅度降低了AlN薄膜生产成本。得到的AlN可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010995A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711247017.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯蓝宝石衬底的高光效LED芯片。该LED外延片的制备包括：在石墨烯蓝宝石衬底上依次生长AlN、u-GaN、n-GaN、多量子阱和p-GaN薄膜。本发明提供了一种在石墨烯-蓝宝石衬底上生长得到的LED芯片。基于石墨烯非常好的热导率和应力释放作用，以及表现为范德华外延生长的薄膜沉积过程，可大大降低GaN薄膜中的应力和位错密度，使得制成的LED芯片发光效率可以提高20-50％，且可以避免使用过程中的过热问题，利于大功率LED芯片的制造，对于基于AlN/GaN的半导体器件的制造具有重大意义。
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公开(公告)号：CN107689323A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710684312.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02376 , H01L21/02414 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种适用于Ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底。该衬底的制备方法包括对蓝宝石衬底进行石墨烯化学气相沉积的步骤；其中，所述方法还包括：在所述化学气相沉积步骤之后对体系进行等离子体处理的步骤。所述等离子体处理具体可为氧等离子体处理、氮等离子体处理或氩等离子体处理。本发明可以实现Ⅲ族氮化物薄膜的快速高效制备，直接大幅度降低了Ⅲ族氮化物薄膜生产成本。得到的Ⅲ族氮化物可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。
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公开(公告)号：CN216808956U
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202220338786.8
申请日：2022-02-18
IPC: C23C16/26 , C23C16/46 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开一种加热炉及CVD反应装置，加热炉包括石英管和电加热组件，石英管内部具有腔室；电加热组件包括线圈、电源和石墨盘，线圈与电源电连接，且线圈螺旋地缠绕在石英管的外周，用于通电后在腔室内产生磁场；石墨盘被配置为能够进出腔室，且能够与线圈对应设置，用于在磁场的作用下产生热量；石墨盘用于承托晶圆衬底，晶圆衬底的一侧表面用于生长石墨烯。通过提高加热温度，有助于获得较高质量的石墨烯，并且可实现高质量石墨烯薄膜在晶圆衬底上的直接制备。并且，仅在石墨盘上加热，可以显著降低反应气体的温度，抑制气相副反应，进一步提高石墨烯生长质量。
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公开(公告)号：CN206157228U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621240862.2
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型涉及一种进气方式及压力可调的多功能大尺寸化学气相沉积设备，包括：工艺腔室(1)、加热炉体及开合系统(2)、炉门机构及腔室密封系统(3)、水冷热交换器(4)、压力调控系统(5)、进出气系统(6)以及电气控制系统(7)；其中，工艺腔室(1)的水平一端安装有炉门机构及腔室密封系统(3)，其水平另一端则与压力调控系统(5)相连接，压力调控系统(5)对工艺腔室(1)内部的压力进行调节；工艺腔室(1)的垂直向外围安装有加热炉体及开合系统(2)；水冷热交换器(4)位于加热炉体及开合系统(2)的顶部，对其做温度调节；进出气系统(6)连通到工艺腔室(1)的内部；电气控制系统(7)对整个CVD设备进行控制。
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