-
公开(公告)号：CN114171080A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111361177.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/409 , G11C8/08 , G11C7/12 , G11C5/14
Abstract: 本发明公开一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。本发明存储器结构包括一个用于存储信息的铁电存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管，隧穿场效应晶体管用于对所述的铁电存储单元进行控制，进行写操作和读操作。多个所述存储器结构组成半导体存储器阵列，其控制方法包括写0、写1、读取和重写步骤。本发明利用隧穿场效应晶体管单向导通特性和极低漏电流特性，可以降低存储器阵列的操作电压和功耗、提升存储器集成密度，适用于半导体存储器芯片的制造，且其控制方法和电路也较为简单。
Search Results
11
records
(took 0.011 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
