-
公开(公告)号：CN1540386A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/08 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
-
公开(公告)号：CN1438544A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03104780.7
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的(Z轴)方向也能够实现可控的折线加工。是一种微硅结构的三维加工技术。突破了以往深刻蚀只能刻出垂直侧壁深槽的限制，实现垂直方向上的多层台阶结构。这项新技术将硅微机械结构加工从简单的平面图形立体化延伸推向了真正的三维立体化，为MEMS技术的发展提供了一种全新的加工手段。与现有的硅工艺完全兼容。可广泛应用于微电子机械技术领域。
-
公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
-
公开(公告)号：CN101150300B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
-
公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1233985C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
-
公开(公告)号：CN1182371C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN03104785.8
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明的提供了一种压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法。芯片周边为硅框架，中心为一带穿通图形的硅膜片，膜片中心的多孔区构成了一个网状结构拉住四块应变膜片，四块应变膜片用于设置两对垂直摆放的应变电阻。芯片制备方法是以常规压阻式压力计的芯片为基片，一次光刻制备出穿通膜片图形的掩膜，之后在进行高深宽比硅刻蚀来形成穿通的膜片结构。本发明还提供了采用所述芯片的微型气体流量计，是将芯片粘片在衬底打孔的TO管壳封装后作为流量计使用，或者采用专用的塑料封装方式。由于采用了MEMS技术，本发明的微型气体流量计具有体积小、结构简单、精度高、输出信号处理容易、适合于大批量低成本的制造等特点。
-
公开(公告)号：CN1534273A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
-
公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
-
公开(公告)号：CN1159772C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01123428.8
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.018 seconds)
