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公开(公告)号：CN105336792B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510729479.7
申请日：2015-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管半导体器件及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。本发明提供的碳纳米管半导体器件的制备方法包括步骤：通过碳纳米管溶液形成碳纳米管层；以及对所述碳纳米管层采用酸性溶液进行处理。本发明的方法制备得到的碳纳米管半导体器件的性能均匀性好。
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公开(公告)号：CN106952962A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710161372.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L29/66045 , H01L29/78612
Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管和阵列基板。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及有源层，该薄膜晶体管还包括：位于所述有源层与所述源极和/或所述漏极之间的阻挡层。本公开可以降低薄膜晶体管的关态电流并抑制双极性效应。
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公开(公告)号：CN105655406A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610115033.X
申请日：2016-03-01
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法。其中，该碳纳米管薄膜晶体管包括：源极和漏极；对应所述源极和所述漏极之间的沟道区域间隔设置的多个带状凸起，所述多个凸起沿所述沟道的宽度方向依次排列，所述凸起沿所述沟道的长度方向延伸；以及设置在所述多个凸起及相邻凸起之间的间隔区域上的碳纳米管层。通过本发明，可以使网络状碳纳米管在薄膜晶体管中排布更加有序，达到了提高网络状碳纳米管薄膜晶体管的性能的效果。
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公开(公告)号：CN100388410C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法，本发明的方法包括以下步骤：1)用化学气相沉积方法制备碳纳米管，在其生长过程中填充过量的金属或非金属引入势垒，得到有调制结构的复合一维碳纳米管；2)用微电子光刻技术制备电极；3)将上述有调制结构的碳纳米管和电极进行组装和纳米加工，得到单电子器件。用本发明的方法制备单电子器件，通过调节势垒的间距，可以使单电子器件的工作温度达到室温或更高温，具有重要的理论及实际意义。
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公开(公告)号：CN1510716A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明属于纳电子学及纳电子器件领域，具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入)，可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势垒的间距，可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。本发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119813961A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411855366.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明涉及一种倍频器电路，涉及半导体集成领域，倍频器电路包括碳纳米管肖特基二极管对、射频输入匹配网络、射频输出匹配网络、第一开路枝节、第一短路枝节、第二开路枝节和第二短路枝节；射频输入匹配网络的输出端分别与第一开路枝节的输入端和第一短路枝节的输入端连接，第一开路枝节的输出端悬空，第一短路枝节的输出端接地，碳纳米管肖特基二极管对的输入端与射频输入匹配网络的输出端连接，碳纳米管肖特基二极管对的输出端与射频输出匹配网络的输入端连接，射频输出匹配网络的输入端分别与第二开路枝节和第二短路枝节的输入端连接，第二开路枝节的输出端悬空，第二短路枝节的输出端接地。该倍频器电路可以增强输出信号的强度。
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公开(公告)号：CN116925306A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210354231.7
申请日：2022-04-06
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC: C08G12/08 , C01B32/159 , C01B32/17
Abstract: 本发明公开了一种可降解共轭聚合物、制备方法及应用。通过分子结构和合成工艺设计，通过在聚合物主链中引入亚胺键(C＝N)直接与芳杂环连接可保证聚合物主链的共轭结构，保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度；C＝N键在弱酸条件下可快速降解，使聚合物分解为小分子，从碳纳米管表面去除。采用本发明制备的聚合物可高效分离半导体碳纳米管，并在弱酸性条件下快速从碳纳米管表面去除，得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，相较于常用的分离半导体碳纳米管用共轭聚合物，不仅能够实现半导体碳纳米管的分离提纯，还能够实现包裹在碳纳米管表面聚合物的去除，工艺简单，可广泛应用于碳基电子领域。
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公开(公告)号：CN111538436B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010282090.3
申请日：2020-04-11
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Inventor： 梁学磊
IPC: G06F3/041 , G06F3/042 , G16H50/20 , H10K19/00 , H10K85/20 , H10K10/00 , H10K71/00 , H10K59/12 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基电路的交互显示器，包括显示基板和位于所述显示基板上的多个像素单元，在像素单元和显示基板之间设置有碳基电路。同时还提出该交互显示器的制作方法，首先在显示基板上制备碳纳米材料薄膜，然后以该碳纳米材料薄膜为沟道材料制成碳基电路，进而在制有碳基电路的显示基板上制备像素单元。本发明提出的基于碳基电路的交互显示器可实现像素分辨率级别的非接触式触控，还可以实现显示器主动对外界进行探测，主动反馈，进而控制显示效果，此外，还利用发射及反射回来的红外信号实现对用户的健康状况进行监测。
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公开(公告)号：CN110137356B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910488469.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子装置，该薄膜晶体管包括衬底基板、以及设置于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、第一极和第二极，所述有源层的材料是一维半导体纳米材料，所述有源层包括第一极区、第二极区、第一沟道区和第二沟道区；所述第一极区和所述第二极区分别与所述第一极和所述第二极接触，所述第一沟道区分别与所述第一极区和所述第二沟道区直接连接，所述第二沟道区位于所述第一沟道区与所述第二极区之间；所述第二沟道区为第一掺杂区，所述第二沟道区与所述第一沟道区对应的能级不同。该薄膜晶体管可以有效降低关态漏电流并提高开态电流。
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公开(公告)号：CN109427974A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710725264.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。
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