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公开(公告)号：CN1401562A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131447.0
申请日：2002-10-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米碳管/纳米铁磁性金属线复合材料，是在纳米碳管内部填充有铁磁性金属纳米线，该铁磁性金属纳米线为结晶态。本发明还提供了所述复合材料的制备方法，即：在生长纳米碳管的同时，在纳米碳管内部原位填充铁磁性金属或其化合物纳米线，生成填充物为非晶态的复合材料；再将复合材料中的纳米铁磁性金属线进行结晶化转变。本发明的复合材料，其电磁特性得到改善，耐腐蚀能力得到提高，微波吸收能力得到显著改善。本发明的复合材料均匀分散在环氧树脂/乙醇溶液中，在烘箱中固化即得微波吸收材料或电磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN1170766C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02131447.0
申请日：2002-10-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米碳管/纳米铁磁性金属线复合材料，是在纳米碳管内部填充有铁磁性金属纳米线，该铁磁性金属纳米线为结晶态。本发明还提供了所述复合材料的制备方法，即：在生长纳米碳管的同时，在纳米碳管内部原位填充铁磁性金属或其化合物纳米线，生成填充物为非晶态的复合材料；再将复合材料中的纳米铁磁性金属线进行结晶化转变。本发明的复合材料，其电磁特性得到改善，耐腐蚀能力得到提高，微波吸收能力得到显著改善。本发明的复合材料均匀分散在环氧树脂/乙醇溶液中，在烘箱中固化即得微波吸收材料或电磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN100413010C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410009510.1
申请日：2004-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极极板自然晾干即可。本发明的场发射阴极极板上的纳米碳管平躺以后，其加工工艺将大大简化，成本也大大降低了。本发明的场发射阴极避免了直立排布碳管的困难，大大降低了生产成本并提高了性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100388410C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法，本发明的方法包括以下步骤：1)用化学气相沉积方法制备碳纳米管，在其生长过程中填充过量的金属或非金属引入势垒，得到有调制结构的复合一维碳纳米管；2)用微电子光刻技术制备电极；3)将上述有调制结构的碳纳米管和电极进行组装和纳米加工，得到单电子器件。用本发明的方法制备单电子器件，通过调节势垒的间距，可以使单电子器件的工作温度达到室温或更高温，具有重要的理论及实际意义。
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公开(公告)号：CN1744254A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410009510.1
申请日：2004-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极极板自然晾干即可。本发明的场发射阴极极板上的纳米碳管平躺以后，其加工工艺将大大简化，成本也大大降低了。本发明的场发射阴极避免了直立排布碳管的困难，大大降低了生产成本并提高了性能。
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公开(公告)号：CN1209283C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03136943.X
申请日：2003-05-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种碳基纳米管的新结构及其制备方法和应用。碳基纳米管，在纳米管内部填充有金属或金属氧化物颗粒，所述颗粒使得所述碳基纳米管的外壁构成多个几何突起。碳基纳米管的制备方法，是在制造纳米管的过程中，通过可控间断地引入参与裂解反应的气体或液体，实现在一根纳米管中填充多个金属或金属氧化物颗粒的目的，并控制颗粒以及纳米管外壁突起的排列，产物为纳米管阵列薄膜或粉末状材料。这种特殊结构的纳米管，通过在纳米管内部填充金属或金属氧化物颗粒并引入局部变形，成倍地增加了材料的场发射效率，降低开启电场并提高发射电流密度，场致电子发射所需的开启电场和场增强因子明显优于通常的直壁碳管，可以用作场发射阴极。
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公开(公告)号：CN1510716A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明属于纳电子学及纳电子器件领域，具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入)，可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势垒的间距，可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。本发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。
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公开(公告)号：CN1460639A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03136943.X
申请日：2003-05-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种碳基纳米管的新结构及其制备方法和应用。碳基纳米管，在纳米管内部填充有金属或金属氧化物颗粒，所述颗粒使得所述碳基纳米管的外壁构成多个几何突起。碳基纳米管的制备方法，是在制造纳米管的过程中，通过可控间断地引入参与裂解反应的气体或液体，实现在一根纳米管中填充多个金属或金属氧化物颗粒的目的，并控制颗粒以及纳米管外壁突起的排列，产物为纳米管阵列薄膜或粉末状材料。这种特殊结构的纳米管，通过在纳米管内部填充金属或金属氧化物颗粒并引入局部变形，成倍地增加了材料的场发射效率，降低开启电场并提高发射电流密度，场致电子发射所需的开启电场和场增强因子明显优于通常的直壁碳管，可以用作场发射阴极。
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