-
公开(公告)号：CN1870297A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610012185.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了闪存的存储密度。在相同工艺条件下，存储密度是一般多晶硅浮栅闪存的4倍，是NROM闪存的2倍。而且其浮栅由靠近源区、漏区的两部分组成，并从物理上隔离开来，可以有效地抑制单元两端存储数据之间的串扰影响。本发明工艺简单，和传统CMOS工艺兼容，也没有增加光刻次数，从而降低了存储成本。
Search Results
11
records
(took 0.038 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
