公开(公告)号：CN102082216B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910199405.1

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  彩虹集团公司 ,  北京大学

Inventor： 张楠 ,  朱广敏 ,  潘尧波 ,  郝茂盛 ,  齐胜利 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。

公开(公告)号：CN100541850C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200810042186.1

申请日：2008-08-28

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 朱广敏 ,  张楠 ,  郝茂盛 ,  齐胜利 ,  杨卫桥 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，再用磷酸(温度为100-220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3-40微米，采用SC-2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30%以上。

公开(公告)号：CN119124336A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411249928.3

申请日：2024-09-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐霄雨 ,  张楠 ,  杨子睿 ,  赵妍 ,  王贝宁 ,  高成臣 ,  杨振川

IPC: G01H3/00 ,  G01H11/06

Abstract: 本发明公开了一种灵敏度增益电极阵列电化学质点振速传感器及其实现方法。本发明设置增益电极阵列，能够大幅提高器件的灵敏度；每一个增益电极分别串联相应的开关连接至零电位，能够调节器件的量程，通过接入不同数量的增益电极，量程也有所不同，能够适应不同的应用场景；本发明提高了电解液的利用率，能够更为有效的利用远离芯片处的电解液，有效提高阳极表面离子浓度；对于电化学原理的振动检‑波器或水听器等设备具有通用性，在无需增加额外工艺步骤的情况下就能够有效提高设备灵敏度；能够降低器件高频噪声、改善高频噪声曲线的走向，对于水下应用场景具有很大的意义；本发明成本低廉，增益效果突出，并且能够叠加使用进一步提高灵敏度。

公开(公告)号：CN118506007A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410709289.8

申请日：2024-06-03

Applicant: 北京肿瘤医院(北京大学肿瘤医院) ,  北京安德医智科技有限公司

Inventor： 季加孚 ,  李子禹 ,  王胤奎 ,  陕飞 ,  梁隆恺 ,  付鹤 ,  唐磊 ,  王宝泉 ,  张楠

IPC: G06V10/26 ,  G06V20/70 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明实施例涉及一种对CT影像进行胃癌病灶语义分割和区域勾画的方法，所述方法包括：构建第一分割模型；并构建三类位姿的胃癌CT影像数据集训练第一分割模型得到三组模型参数；模型训练结束后接收第一CT影像、第一影像位姿；并根据第一影像位姿和三组模型参数配置第一分割模型；并对第一CT影像进行特征图预处理；并按三维滑窗切片方式对第一特征图进行切片；并将各个第一切片特征图输入第一分割模型进行胃癌病灶语义分割；并对得到的所有第一切片语义分割图按对应的切片位置进行拼接得到第一语义分割图；并基于第一语义分割图和第一CT影像进行胃癌病灶区域勾画显示处理。通过本发明可以提高胃癌病灶的识别效率、识别精度和识别准确度。

公开(公告)号：CN113292630A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110475379.1

申请日：2021-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 罗佗平 ,  房显赫 ,  张楠 ,  陈思聪

IPC: C07J73/00 ,  C07B53/00

Abstract: 本发明公开一种不对称合成triptonide及triptolide的方法，从(‑)‑Taniguchi内酯出发，发展了一种通过烷基化反应、过渡金属催化氢原子转移反应以及aldol型关环反应，得到triptolide的骨架结构，进而通过氧化反应完成triptonide的全合成，再经过一步已知还原反应转化为triptolide。合成中的反应操作简单，可广泛推广使用，为更进一步地进行雷公藤甲素和雷公藤内酯酮的构效关系研究与结构优化奠定基础。

公开(公告)号：CN101552312A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910051058.8

申请日：2009-05-12

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张楠 ,  朱广敏 ,  郝茂盛 ,  张国义 ,  陈志忠 ,  齐胜利 ,  田鹏飞 ,  李士涛 ,  袁根如 ,  陈诚

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照技术对发光二极管晶片进行正面划片直至划入衬底；(3)通过刻蚀工艺对步骤(2)中的发光二极管晶片进行刻蚀并制作N电极，P电极；(4)对步骤(3)中发光二极管晶片进行背面研磨减薄、裂片，得到发光二极管芯片。正面划片在制作N、P电极之前进行，利用制作N、P电极中的刻蚀工艺将激光辐照切割过程中形成的融化层，以及沉积在发光二极管晶片侧面和表面电极上的残渣沉积移除，优化了芯片的光电参数和发光二极管芯片的成品率。

公开(公告)号：CN221671549U

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202323387055.6

申请日：2023-12-12

Applicant: 北京大学人民医院

Inventor： 胡甜 ,  张楠 ,  王玲玉

IPC: A47K7/04

Abstract: 本实用新型公开了一种肚脐用清理装置，包括：压环，用于环绕肚脐，并按压肚脐周围的皮肤，使肚脐向外鼓出；支撑环，设置于所述压环的上端面；一对指环，设置于所述支撑环的两侧，且用于供拇指和食指嵌入；棉签，用于穿设压环并伸入肚脐内。本实用新型具有以下优点和效果：通过设置能够用手指握持并按压肚脐四周的清理装置，使肚脐向外鼓起，方便使用棉签对肚脐进行擦拭和清洁，从而使得医护人员对肚脐的清理过程更加轻松方便。