公开(公告)号：CN114723629A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210330045.X

申请日：2022-03-31

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李革 ,  张楠 ,  李宏 ,  高伟

IPC: G06T5/00

Abstract: 本发明的基于对抗学习的点云去噪增强方法，包括如下步骤：在深度点云去噪网络训练过程中，将点云噪声置信度估计模块嵌入原始点云去噪网络；将带噪点云输入到嵌入点云噪声置信度估计模块的深度点云去噪网络中，根据点云噪声置信度估计模块估计出的点云置信度向量以及深度点云去噪网络预测出的去噪点云结果计算对抗损失；每次迭代时根据对抗损失扰动输入点云，生成对抗样本加入训练。本发明的基于对抗学习的点云去噪增强方法，能够动态的生成模型难以处理的对抗样本，提升点云去噪训练的数据多样性，在生成高斯噪声和模拟激光雷达采样噪声去噪任务上本发明增强后的模型相较于基准模型都有一定的提升。

公开(公告)号：CN101345281A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810042186.1

申请日：2008-08-28

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 朱广敏 ,  张楠 ,  郝茂盛 ,  齐胜利 ,  杨卫桥 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5－50微米，再用磷酸(温度为100－220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N－GAN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3－40微米，采用SC－2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N－GAN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30％以上。

公开(公告)号：CN118190136A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410258472.0

申请日：2024-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐霄雨 ,  张楠 ,  赵妍 ,  杨子睿 ,  高成臣 ,  杨振川

IPC: G01H11/06 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于电化学原理的振动传感芯片及其制备方法。本发明采用玻璃硅键合片，玻璃介质层位于阴极与阳极之间，既具有支撑性又具有绝缘性，玻璃介质层作为阴极和阳极的支撑，流孔阵列的高度等于玻璃介质层的厚度，高度变小，使得流阻变小，从而灵敏度提升；同时，玻璃介质层作为阴极与阳极之间的绝缘，在电阻率没有变化的同时，增加阴极与阳极之间电阻值，减少直流漏电，并且同时降低阴极与阳极之间的耦合电容，实现降低由耦合电容引起的交流噪声；二维背腔阵列的每一个背腔的表面平整，能够降低噪声，且多个背腔的深度一致，提高器件一致性；玻璃材料在提高强度的同时，降低加工过程中碎片的风险。

公开(公告)号：CN118190135A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410201782.9

申请日：2024-02-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张楠 ,  齐霄雨 ,  杨子睿 ,  赵妍 ,  杨振川 ,  高成臣

IPC: G01H11/06 ,  G01V1/18

Abstract: 本发明公开了一种基于电化学原理的振动传感器敏感电极及实现方法。本发明在两个阴阳电极层之间增加补偿层，从而大大增加浓度梯度，能够提升灵敏度；并且，能够减小大流速下的信号失真；本发明的补偿层电解液流孔较大，且厚度薄，系统流阻不受补偿层的影响；补偿层消耗掉两个阴阳电极层的阴极之间传输的反应离子，有效降低大流速下从一个阴阳电极层的阴极到另外一个阴阳电极层的阴极的反应离子的对流位移，提高了振动传感器的动态范围；对于1Hz以下低频域振动，本发明增加的补偿层，使得反应离子从一个阴阳电极层的阴极向另一个阴阳电极层的阴极扩散的过程中被补偿层消耗掉，从而有助于减小振动传感器低频域的衰减，从而改善低频域的输出性能。

公开(公告)号：CN111965292A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010314288.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄超兰 ,  高帅鑫 ,  张楠

IPC: G01N30/20

Abstract: 本发明涉及一种多维双通道的液相色谱-质谱联用装置，其包括第一液相泵、第二液相泵、六通阀、初级分析柱、第一次级分析柱、第二次级分析柱以及分析柱位置切换装置的液相色谱的组件。本发明的液相色谱-质谱联用装置可防止多维液相色谱中特定的流动相成分对质谱系统的损害，特别是在蛋白质组学的研究中具有良好的效果。

公开(公告)号：CN102082216A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910199405.1

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  彩虹集团公司 ,  北京大学

Inventor： 张楠 ,  朱广敏 ,  潘尧波 ,  郝茂盛 ,  齐胜利 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。

公开(公告)号：CN113292630B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110475379.1

申请日：2021-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 罗佗平 ,  房显赫 ,  张楠 ,  陈思聪

IPC: C07J73/00 ,  C07B53/00

Abstract: 本发明公开一种不对称合成triptonide及triptolide的方法，从(‑)‑Taniguchi内酯出发，发展了一种通过烷基化反应、过渡金属催化氢原子转移反应以及aldol型关环反应，得到triptolide的骨架结构，进而通过氧化反应完成triptonide的全合成，再经过一步已知还原反应转化为triptolide。合成中的反应操作简单，可广泛推广使用，为更进一步地进行雷公藤甲素和雷公藤内酯酮的构效关系研究与结构优化奠定基础。

公开(公告)号：CN111965292B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202010314288.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄超兰 ,  高帅鑫 ,  张楠

IPC: G01N30/20

Abstract: 本发明涉及一种多维双通道的液相色谱‑质谱联用装置，其包括第一液相泵、第二液相泵、六通阀、初级分析柱、第一次级分析柱、第二次级分析柱以及分析柱位置切换装置的液相色谱的组件。本发明的液相色谱‑质谱联用装置可防止多维液相色谱中特定的流动相成分对质谱系统的损害，特别是在蛋白质组学的研究中具有良好的效果。

公开(公告)号：CN101465302B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810204995.8

申请日：2008-12-30

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学 ,  彩虹集团公司

Inventor： 朱广敏 ,  齐胜利 ,  孙永健 ,  郝茂盛 ,  张楠 ,  张国义

IPC: H01L21/50

Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，首先采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，在p-GaN面得到分立的单元后，按常规工艺将芯片制备完毕，但不切割成分立芯片，然后制备反射镜，最后进行键合金属层的制备；将导电导热性能良好的键合基板材料分成分立单元；将分立的键合基板单元采用倒装焊设备或键合设备键合到芯片上，最后采用激光剥离技术将蓝宝石衬底剥离。这样可以大大降低激光剥离时应力释放对芯片的冲击或震荡，是解决激光剥离产品漏电严重的重要方法。

公开(公告)号：CN101465302A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810204995.8

申请日：2008-12-30

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学 ,  彩虹集团公司

Inventor： 朱广敏 ,  齐胜利 ,  孙永健 ,  郝茂盛 ,  张楠 ,  张国义

IPC: H01L21/50

Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，首先采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5－50微米，在p－GaN面得到分立的单元后，按常规工艺将芯片制备完毕，但不切割成分立芯片，然后制备反射镜，最后进行键合金属层的制备；将导电导热性能良好的键合基板材料分成分立单元；将分立的键合基板单元采用倒装焊设备或键合设备键合到芯片上，最后采用激光剥离技术将蓝宝石衬底剥离。这样可以大大降低激光剥离时应力释放对芯片的冲击或震荡，是解决激光剥离产品漏电严重的重要方法。