公开(公告)号：CN118016592A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410120680.4

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：对第一正面栅极结构、第一背面栅极结构、第三正面栅极结构和第三背面栅极结构进行栅极切断，以形成第一栅极切断凹槽和第二栅极切断凹槽，以及对第二背面栅极结构进行栅极切断，以形成第三栅极切断凹槽；在第一栅极切断凹槽、第二栅极切断凹槽和第三栅极切断凹槽中填充绝缘材料，以形成第一栅极切断结构、第二栅极切断结构和第三栅极切断结构；对第二栅极切断结构对应于第三背面栅极结构的部分进行光刻，以形成第四栅极切断结构和第一凹槽；在第一凹槽中填充金属材料，以形成栅极互连金属。通过本申请，可以实现半导体结构中的电学互连的灵活设计。

公开(公告)号：CN117438470B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311397765.9

申请日：2023-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。

公开(公告)号：CN117995778A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410069577.1

申请日：2024-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/74

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括用于制备第一晶体管的第一有源结构和用于制备第二晶体管的第二有源结构；基于有源结构，形成第一浅沟槽隔离层、第二浅沟槽隔离层和第三浅沟槽隔离层；去除第一浅沟槽隔离层或第三浅沟槽隔离层，以暴露第二浅沟槽隔离层；在第二浅沟槽隔离层上刻蚀出第一凹槽；通过在第一凹槽中沉积金属材料，形成埋层结构；埋层结构与第一晶体管的金属通孔和/或第二晶体管的金属通孔连接。通过本申请，可以在半导体结构内部实现信号线的互连。

公开(公告)号：CN117855144B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311694452.X

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H01L23/538 ,  H10D84/83 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

公开(公告)号：CN118280925B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410434413.4

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备，该半导体器件的制备方法包括：在衬底上形成有源结构；形成第一半导体结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合并翻转；去除衬底，暴露第二有源结构；形成第二半导体结构；将第二半导体结构与第二载片晶圆键合并翻转；去除第一载片晶圆，暴露第一半导体结构；在第一半导体结构中，形成第一栅极结构；在第一源漏结构上形成第一源漏金属；在第一晶体管上形成第一金属互连结构；将第一金属互连结构与第三载片晶圆键合并翻转；去除第二载片晶圆，以暴露第二半导体结构；形成第二金属互连结构。该方法避免了在形成第二源漏结构时的较高工艺温度影响第一栅极结构和第一金属互连结构。

公开(公告)号：CN119133107A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411101564.4

申请日：2024-08-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第二部分相对于第一部分靠近半导体衬底；基于第一部分，形成正面垂直堆叠晶体管，正面垂直堆叠晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的极性不同，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向为垂直于半导体衬底的方向；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成反面垂直堆叠晶体管，反面垂直堆叠晶体管包括：第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管的极性不同，第三晶体管和第四晶体管在第一方向上自对准。

公开(公告)号：CN118900556A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410984338.9

申请日：2024-07-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10B10/00

Abstract: 本申请提供一种半导体器件、制备方法、存储器及电子设备。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，第一方向是与第一隔离层垂直的方向；第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个第一标准单元包括两个子单元，每一个子单元包括两个第一晶体管；第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个第二标准单元包括两个第二晶体管；电源轨，位于每一个子单元的两个第一晶体管之间，且电源轨与第一晶体管的第一源漏结构连接；导电通道，位于第二半导体结构内，且导电通道的第一端与第二半导体结构内的供电金属结构连接，导电通道的第二端沿第一方向延伸，并穿过第一隔离层与电源轨连接。

公开(公告)号：CN118507460A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410422818.6

申请日：2024-04-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/48 ,  H01L27/02 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决了目前堆叠晶体管中漏极互连结构占用版图面积并会产生较大电阻的技术问题。该半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘层、漏极导电结构；其中，第一晶体管和第二晶体管位于绝缘层的两侧，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向垂直于绝缘层；漏极导电结构贯穿绝缘层，并连接第一晶体管的漏极外延结构和第二晶体管的漏极外延结构。本申请提供的半导体器件具有漏极导电结构，漏极导电结构不会占用半导体器件的版图面积，并且缩短了漏极互连路径，减小了漏极互联电阻。

公开(公告)号：CN118352305A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410301043.7

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L23/52 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；采用切除工艺去除有源结构的第一部分，以暴露双扩散隔离区域内的半导体衬底；双扩散隔离区域位于有源结构的第二部分的一侧；在双扩散隔离区域内的半导体衬底上形成双扩散隔离结构；基于被保留的有源结构的第二部分，形成沿第一方向自对准的第一晶体管和第二晶体管，以及单扩散隔离结构；单扩散隔离结构位于第一晶体管和第二晶体管的同一侧，并与双扩散隔离结构相对；刻蚀双扩散隔离结构，以形成第一凹槽，并在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构；互连通孔结构用于连通第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118315343A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410442420.9

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；第一伪栅结构和第二伪栅结构自对准；去除浅槽隔离结构中包裹第一有源结构的一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除浅槽隔离结构中包裹第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以优化工艺流程。