公开(公告)号：CN104122492B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201410357332.5

申请日：2014-07-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  任鹏鹏 ,  王润声 ,  郝鹏 ,  蒋晓波 ,  郭少峰

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/00

Abstract: 一种预测半导体器件寿命的工作电压的方法：在半导体器件栅端施加应力电压以K倍增加，在应力施加过程中，栅电压在VGstress_2和VGmeasure之间循环跳转，漏电压在0和VDmeasure之间循环跳转，当栅电压为VGmeasure，漏电压为VDmeasure时监测漏电流ID；将多次应力下得到的ΔVth等效转换到VGstress_1下的阈值电压退化；计算出任意工作电压VG下的等效应力时间；对VG进行遍历，得到失效几率随VG的变化关系；对应特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率，确定VDD的值。本发明仅用一个半导体器件并且可以快速有效地提取目标要求的失效几率下的10年寿命对应的VDD，提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的预测方法。

公开(公告)号：CN103474369B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310367172.8

申请日：2013-08-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  郭少锋 ,  王润声 ,  任鹏鹏 ,  蒋晓波 ,  罗牧龙 ,  张兴

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N27/02 ,  G01R31/2601 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明公开一种提取半导体器件栅介质层陷阱时间常数的方法，属于微电子器件可靠性领域。该方法首先初始化半导体器件中陷阱状态，使得陷阱最终状态为空状态；然后栅端施加DC信号或AC信号，漏端为零偏压Vd1，在经过一段时间t1后，在栅端、漏端上分别施加小电压Vg2与Vd2，检测漏电流Id状态；将时间t1改为t2=t1+Δt，其他的条件不变，重复上一步骤，依次类推，进行N次测量得到t1、t1+Δt……t1+(N-1)Δt，N个时间点对应的漏端电流状态；随后进行滑动平均，计算得到(N-n)个时刻点对应的占据几率P；利用公式拟合得到陷阱的俘获时间常数与发射时间常数。

公开(公告)号：CN103474369A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310367172.8

申请日：2013-08-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  郭少锋 ,  王润声 ,  任鹏鹏 ,  蒋晓波 ,  罗牧龙 ,  张兴

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N27/02 ,  G01R31/2601 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明公开一种提取半导体器件栅介质层陷阱时间常数的方法，属于微电子器件可靠性领域。该方法首先初始化半导体器件中陷阱状态，使得陷阱最终状态为空状态；然后栅端施加DC信号或AC信号，漏端为零偏压Vd1，在经过一段时间t1后，在栅端、漏端上分别施加小电压Vg2与Vd2，检测漏电流Id状态；将时间t1改为t2=t1+Δt，其他的条件不变，重复上一步骤，依次类推，进行N次测量得到t1、t1+Δt……t1+(N-1)Δt N个时间点对应的漏端电流状态；随后进行滑动平均，计算得到(N-n)个时刻点对应的占据几率P；利用公式拟合得到陷阱的俘获时间常数与发射时间常数。