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公开(公告)号：CN116285963A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211516263.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
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公开(公告)号：CN103922386B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410151190.7
申请日：2014-04-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体纳米晶合成技术领域的一种单分散蓝辉铜矿半导体纳米晶及其制备方法。本发明选用铜盐作为铜原料，掺入少量其它金属盐，并以脂肪族硫醇作为硫原料，在高沸点溶剂中通过高温分解的方法制备单分散性较好的蓝辉铜矿(Cu9S5)半导体纳米晶。本发明中所使用的原料廉价易得，设备工艺简单，操作安全、简便、重复性好。本发明的制备方法制备的蓝辉铜矿半导体纳米晶，直径小于5纳米，形状为球状或稻米状，晶型为菱形晶系或四角晶系。
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公开(公告)号：CN103922386A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410151190.7
申请日：2014-04-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体纳米晶合成技术领域的一种单分散蓝辉铜矿半导体纳米晶及其制备方法。本发明选用铜盐作为铜原料，掺入少量其它金属盐，并以脂肪族硫醇作为硫原料，在高沸点溶剂中通过高温分解的方法制备单分散性较好的蓝辉铜矿(Cu9S5)半导体纳米晶。本发明中所使用的原料廉价易得，设备工艺简单，操作安全、简便、重复性好。本发明的制备方法制备的蓝辉铜矿半导体纳米晶，直径小于5纳米，形状为球状或稻米状，晶型为菱形晶系或四角晶系。
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公开(公告)号：CN101504970A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910079422.1
申请日：2009-03-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件，涉及一种光电子器件，它在同一电压下，具有两种不同的导电状态。该器件是在导电衬底(1)为ITO导电玻璃上，依次制作缓冲层(2)，功能有源层(3)和铝电极(4)。缓冲层(2)的材料为磺化聚苯乙烯掺杂的聚3，4－乙烯基二氧噻吩；功能有源层(3)的材料为十二硫醇包覆的硫化亚铜纳米晶和共轭聚合物聚(2－甲氧基－5－(2－乙基己氧基)－1，4－亚苯基乙撑)的混合物，二者的比例1∶1至3∶1。基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态由于其具有低成本，易加工，膜层薄以及电流开关比高的特点，在未来的信息电子工业领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN202602565U
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201220227920.3
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02N11/00 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型涉及一种太阳能发电装置及应用该装置的太阳能发电系统，该装置的具体结构可以包括：光伏太阳能电池片（A）以及设于光伏太阳能电池片（A）背光面的温差发电片（B）；所述的温差发电片（B）包括热端电极层（B1）和冷端电极层（B3），所述的热端电极层（B1）和冷端电极层（B3）之间包夹有温差发电层（B2）；所述温差发电片（B）的热端电极层（B1）通过第一导热绝缘层（C1）叠合于光伏太阳能电池片（A）的背光面。本实用新型实施例的实现不仅能够有效降低光伏太阳能电池片的温度，提升光伏太阳能电池片的输出功率，而且能够提升太阳能的综合利用率。
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