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公开(公告)号：CN110746186B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201911176014.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: C04B35/48
Abstract: 本发明公开一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法，半导体陶瓷材料的分子式为SrZr1‑xAlxO3，其中x为Al3+掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO3为基体，掺杂不同比例的Al3+制备获得半导体陶瓷材料，具体包括如下步骤：(1)锆酸锶粉体制备；(2)素坯成型；(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3‑5μm波段小于0.5，热导率低于2.5W·m‑1·K‑1，能够在室温至1400℃环境温度下使用，并且在600‑1200℃下的热导率可降至1.5W·m‑1·K‑1以下，可以很好的在高温环境中服役，并且在长期的高温环境中性能稳定，抗腐蚀氧化能力强。
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公开(公告)号：CN113024279A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110194529.1
申请日：2021-02-20
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氢化锆复合阻氢涂层结构，属于材料表面防护技术领域，包括氢化锆基体，所述氢化锆基体的外层裹覆有一层微弧氧化涂层；所述微弧氧化涂层的外层还裹覆有一层石墨烯。本发明提供了一种氢化锆复合阻氢涂层结构及其制备方法，此涂层结构的阻氢效果明显，可解决氢化锆慢化剂在高温环境工作的失氢问题。本制备方法是将氢化锆基体经过表面预处理后，通过微弧氧化工艺在氢化锆表面制备氧化锆膜层，再通过溶液沉积石墨烯膜层，在氢化锆表面制备出复合阻氢涂层，方法简单，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN110746186A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911176014.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: C04B35/48
Abstract: 本发明公开一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法，半导体陶瓷材料的分子式为SrZr1-xAlxO3，其中x为Al3+掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO3为基体，掺杂不同比例的Al3+制备获得半导体陶瓷材料，具体包括如下步骤：(1)锆酸锶粉体制备；(2)素坯成型；(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3-5μm波段小于0.5，热导率低于2.5W·m-1·K-1，能够在室温至1400℃环境温度下使用，并且在600-1200℃下的热导率可降至1.5W·m-1·K-1以下，可以很好的在高温环境中服役，并且在长期的高温环境中性能稳定，抗腐蚀氧化能力强。
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公开(公告)号：CN103523828B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310548864.2
申请日：2013-11-07
Applicant: 浙江锆谷科技有限公司 , 内蒙古工业大学
IPC: C01G25/00
Abstract: 一种金属锆盐连续洗涤脱水生产设备及方法。主要包括真空离心机、自卸式离心机和制桨装置。本发明在真空离心机和制桨装置中进行酸浸除铁，首次实现了制备氧氯化锆中的二次除铁的目的，使产品的质量更好。并且整个反应过程中所使用的盐酸均实现了循环使用，减少了酸的用量，节约了成本。本装置均在密封的环境中进行，并且每个盛放盐酸的存料桶中都接有一个去酸雾净化装置，使整个操作环境更加环保。本装置的发明实现了金属锆盐连续洗涤脱水生产的清洁化生产，并使企业的机械化程度更高，大大的提高了企业的生产效率。
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公开(公告)号：CN103484844A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310432142.0
申请日：2013-09-22
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明涉及一种氢化锆表面防氢渗透涂层的方法，具体是采用原位氧化方法制备底层，再采用溶胶-凝胶法在底层基础上制备纳米氧化物涂层，最终得到复合结构的氧化物涂层。本发明首先将氢化锆在氧化性气体中进行原位氧化制备氧化锆底层，再将氢化锆置于氧氯化锆前驱体溶胶中，采用分段热处理工艺进行溶胶固化烧结。本发明方法在氢化锆表面所制的复合涂层与基体结合紧密，涂层厚度适中，抗热冲击性能优异，涂层具有较好的高温阻氢效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113880580B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111337792.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C25B1/01 , C25B1/50
Abstract: 本发明提供了一种高熵碳化物超高温陶瓷粉体及其制备方法，所述陶瓷粉体分子式为(M1x1M2x2……Mnxn)C，M为Zr、Ti、Hf、V、Nb、Ta、Mo或W中的至少四种，具有单一面心立方结构，呈单一相固溶体。所述方法：将至少四种金属氧化物和碳粉制成阴极，熔盐电解得到纳米陶瓷粉体。本发明能够在电解过程中同时实现多种金属氧化物混合电脱氧和原位碳化以及固溶，具有工艺流程短、原料价格低廉、合成温度低、设备要求低、工艺过程简单，易于产业化及经济价值高等优点；能够为制备高质量的高熵碳化物纳米粉体提供一条经济和可行的新路线；还能够被作为半成品用于宇航部件、涂层材料和特种功能陶瓷等方面。
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公开(公告)号：CN110747428B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911229347.2
申请日：2019-12-04
Applicant: 内蒙古工业大学 , 北京金轮坤天特种机械有限公司
Abstract: 本发明公开一种钛合金表面阻燃封严一体化涂层及其制备方法和应用，涂层由阻燃层涂层和可磨耗封严涂层组成，所述阻燃层涂层位于钛合金表面与可磨耗封严涂层之间。制备方法包括如下步骤：(1)钛合金基材的表面处理；(2)钛合金基材的预热；(3)阻燃层涂层的制备；(4)可磨耗封严涂层的制备。本发明将钛锆非晶合金的阻燃层作为粘结层使用，取消了原有的粘结层，采用镍铬铝‑膨润土作为可磨耗的封严面层，其作用是保护叶片与机匣，同时降低之间的孔隙率，提高热效率，从而降低制造成本，减小维护成本。
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公开(公告)号：CN113659002A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010398163.5
申请日：2020-05-12
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种具有AlOX保护层的金刚石基MISFET器件及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括金刚石衬底、源电极、漏电极、栅电极和介质层；在金刚石衬底上表面的两端分别形成源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间从下到上依次设置第一介质层AlOX和第二介质层，第二介质层的上表面设置栅电极，第一介质层和第二介质层共同作为MISFET器件的钝化层和栅介质层。本发明较好的优化了栅电极介质层沉积质量，对氢终端加以保护作用，并增强了栅介质层在金刚石氢终端上的附着力，避免二维空穴气密度降低、载流子迁移率下降，同时避免了对氢终端的破坏，改善栅电极漏电及阈值电压稳定性，提高生产良品率，提高器件服役寿命。
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公开(公告)号：CN109911906A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910243789.6
申请日：2019-03-28
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: C01B33/16 , C01B33/159
Abstract: 本发明公开一种利用锆冶金渣制备疏水二氧化硅的方法，属于锆化工生产过程产生的锆冶金渣的资源化利用与改进。该方法以锆冶金渣为原料，经碱溶、过滤、酸浸、水洗、过滤、脱水、改性和干燥步骤，得到疏水二氧化硅副产品。本发明二氧化硅的回收率可以达到90％以上，滤渣可以返回至氧氯化锆生产工序继续使用，资源利用率高。本发明得到的疏水二氧化硅产品，具有良好的疏水性，接触角为140～151°，孔径大小为20nm～80nm，比表面积为200m2/g～500m2/g；产品质量高，附加值高，生产成本低，适合工业化生产，疏水二氧化硅可用于废气、废水处理等技术领域。
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公开(公告)号：CN117758331A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310765817.7
申请日：2023-06-27
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明公开一种含铈Sol‑gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜及其制备方法和应用，在氢化锆基体表面制备具有相容性的微弧氧化陶瓷膜层，两者以冶金方式结合，提高了氢化锆基体的失氢温度，同时在微弧氧化陶瓷膜层表面进一步生长制备铈掺杂溶胶凝胶层，经浸渍提拉镀膜及热处理后，复合膜层能够对MAO膜层表面的微小缺陷进行封堵，还可以增强表面膜层对氢原子的捕获能力，使膜层具有较强的阻氢渗透性能，从而延长该材料的服役期限。本发明所获得复合膜层兼具了微弧氧化法和溶胶凝胶法的优点，具有较高阻氢性能和良好性能且对环境无污染。本发明整体制备工艺简单，试剂容易获得，对环境绿色无污染，具有产业化推广前景。
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