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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205595429U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620381431.1
申请日：2016-04-29
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本实用新型公开了一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，包括基片集成波导谐振腔。基片集成波导谐振腔包括介质基片、设置在介质基片正面和反面的两层金属层，以及沿介质基片边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔；基片集成波导两端设有输入端口和输出端口，外围金属化通孔围成的区域内设有多组内部金属化通孔，内部金属化通孔包括共线的两列内部金属化通孔，共线的两列内部金属化通孔之间形成感性窗，上金属层上开设有位于感性窗上方的非谐振节点结构。本实用新型可通过调整非谐振节点结构的尺寸来控制电耦合强度，通过调整感性窗的宽度来控制磁耦合强度，从而控制传输零点位于上阻带还是下阻带。
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公开(公告)号：CN220474866U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202320867684.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本实用新型涉及一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构及滤波器，包括N个谐振器，谐振器包括顶层金属层、中间介质层、底层金属层，顶层金属层和底层金属层相互平行，中间介质层、顶层金属层和底层金属层对应开设有过孔，过孔垂直开设，过孔为圆形通孔，过孔的内环面设置有金属镀层，金属镀层与底层金属层相接，形成短路端；N个谐振单过孔设置金属层，与底层金属板相接，形成短路端。元之间设置有耦合线，耦合线的数量为N‑1，相邻两个谐振器通过耦合线连接，耦合线为矩形结构。本实用新型设置耦合线，通过调控耦合线的位置引入主模的电耦合路径同时抑制寄生通带的电耦合路径，实现高带外抑制的性能，电耦合结构灵活，而且电路较为简单。
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公开(公告)号：CN220400880U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321097928.7
申请日：2023-05-06
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本实用新型一种小型化高选择性的微带贴片谐振器和带通滤波器。该谐振器包括：顶层金属层、中间介质基板和底层金属层，在所述顶层金属层上设置有正方形微带贴片，沿所述正方形微带贴片的其中两条邻边的外侧刻蚀有第一矩形槽线，在所述正方形微带贴片的其中一条对角线上刻蚀有第二矩形槽线；沿所述第一矩形槽线的外侧设置有周期性金属化通孔阵列，在所述正方形微带贴片的与所述第一矩形槽线的相对的顶点处设置有一个金属化通孔。
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公开(公告)号：CN205543165U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620283602.7
申请日：2016-04-07
Applicant: 信阳师范学院
Abstract: 本实用新型公开了一种高选择性双模基片集成波导滤波器，滤波器中上金属贴片为矩形且相邻的两边分别设有输入端和输出端，输入端包括由上金属贴片延伸出的第一带状贴片，第一带状贴片仅基部与上金属贴片相连，第一带状贴片两边与上金属贴片之间分别设有第一L形间隙和第二L形间隙，输出端包括由上金属贴片延伸出的第二带状贴片，第二带状贴片仅基部与上金属贴片相连，第二带状贴片两边与上金属贴片之间分别设有第三L形间隙和第四L形间隙，金属化通孔沿着上金属贴片的四边设置，且相邻两个金属化通孔之间距离相等。本实用新型在不增加额外电路的情况下增加了一个传输零点，提高了滤波器的频率选择性，结构简单，方便加工。
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公开(公告)号：CN220400873U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202320809784.7
申请日：2023-04-12
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本实用新型提供一种小型化四分之一模正方形SIW谐振腔及带通滤波器。该小型化四分之一模正方形SIW谐振腔包括：一个四分之一模正方形SIW腔体，在所述四分之一模正方形SIW腔体的其中一个顶点处设置有一个金属化通孔以形成电壁，沿着与设置有金属通孔的顶点呈对角的另一顶点所在的两条邻边边缘处设置有周期性金属通孔阵列，在所述周期性通孔阵列的一侧刻蚀有整体呈“L”形的缝隙以形成磁壁；其中，所述四分之一模正方形SIW腔体为沿互为垂直的等效磁壁切割正方形SIW谐振腔得到。
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