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公开(公告)号：CN101082768B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN1900819B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200610107711.4
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN103324027A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN102402117A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110348752.3
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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公开(公告)号：CN101261440A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710146403.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101010631A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029571.7
申请日：2005-08-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , C23F4/00 , H01L21/027
Abstract: 在光掩模基板11的一个主面上具备金属膜作为遮光层12，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类干蚀刻)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类干蚀刻)及氟类干蚀刻(F类干蚀刻)蚀刻。然后在该遮光层12上具有金属化合物膜作为防反射层13，所述金属化合物膜不会被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)中的至少一种蚀刻。
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公开(公告)号：CN103324027B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN103324024B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN103324024A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN102621802A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112732.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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