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公开(公告)号:CN115148862A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202210326586.5
申请日:2022-03-30
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 本申请提供一种半导体发光装置及其制造方法,所述方法包含形成具有侧壁P‑N接面的多个发光二极管结构于一成长基板上,及形成一隔离层于发光二极管结构上,LED结构于所述外延结构与成长基板的交叉处具有转角。此方法亦包含形成一可刻蚀的覆盖通道层于隔离层上,形成一图案化保护层于覆盖通道层上,使用一第一刻蚀工艺形成刻蚀通道于覆盖通道层中,及通过使用一第二刻蚀工艺来刻蚀隔离层以移除隔离层的所述转角。在第二刻蚀工艺以后,隔离层覆盖所述侧壁P‑N接面。此方法亦可包含接合成长基板至一载体,及使用一激光剥离工艺将成长基板与所述发光二极管结构分离。
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公开(公告)号:CN114365266A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202080060319.7
申请日:2020-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/48 , C09J11/06 , C09J183/07
Abstract: 根据微小结构体的转移方法,其至少包含:(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序;(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板,从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序;(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序;(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序;(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序,由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序,因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。
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公开(公告)号:CN111574838B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202010090133.8
申请日:2020-02-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的技术问题在于提高晶圆级光半导体装置用树脂组合物的固化物的耐热性、耐光性,并同时实现低线膨胀系数化、高硬度化,谋求提高使用所述固化物进行了密封的晶圆级光半导体装置的机械可靠性。所述晶圆级光半导体装置用树脂组合物以特定的量含有(A‑1)具有支链结构的有机聚硅氧烷、(A‑2)直链状有机聚硅氧烷、(A‑3)有机氢聚硅氧烷、(A‑4)铂族金属类催化剂、及(B)平均粒径(D50)为4~50μm的熔融二氧化硅,(A‑1)~(A‑4)成分在未固化的状态下表现出特定范围的折射率。
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公开(公告)号:CN112534020A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201980049252.4
申请日:2019-07-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/07 , C08F290/06 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 下述组合物可形成作为临时固定材料具有优异的粘着性和弹性模量的固化物。所述组合物含有:(A)在1分子中具有2个由式(1)(R1表示C1‑20的一价烃基,R2表示氧原子等,R3表示丙烯酰氧基烷基等,p表示0~10,a表示满足1~3的数)表示的基团的有机聚硅氧烷;(B)不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物;(C)由(a)R43SiO1/2单元(R4为C1‑10的一价烃基)和(b)SiO4/2单元组成、(a)单元与(b)单元的摩尔比为0.4~1.2:1的有机聚硅氧烷树脂;(D)由(c)式(2)(R1~R3、a、p与上述相同)所示的单元、(d)R43SiO1/2单元(R4与上述相同)和(e)SiO4/2单元组成、(c)单元+(d)单元与(e)单元的摩尔比为0.4~1.2:1的有机聚硅氧烷树脂;和(E)光聚合引发剂。
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公开(公告)号:CN119422465A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202380051639.X
申请日:2023-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种LED安装基板的制造方法,具有利用碱性清洗液对通过激光剥离而自蓝宝石基板上移载至受体基板上的LED芯片进行清洗的工序。由此,提供一种能够选择性地将通过激光剥离而自蓝宝石基板上移载至受体基板上的LED芯片上所附着的金属Ga在不会使其他金属溶解、改性的情况下去除来制造LED安装基板的LED安装基板的制造方法;能够用于其的清洗液;以及选择性地将LED芯片上所附着的镓在不会使其他金属溶解、改性的情况下去除的清洗方法;及自表面具有镓与镓以外的金属的零件中在不会使镓以外的金属溶解、改性的情况下选择性地将镓去除的清洗方法。
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公开(公告)号:CN118103964A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202280068301.0
申请日:2022-10-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/52 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种在使用压模进行移载时可提高移载对象物的拾取成功率的受体基板、所述受体基板的制造方法、以及使用所述受体基板的移载方法及LED面板的制造方法。一种受体基板,配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,所述受体基板具有多个配置有通过利用所述压模进行的一次移载动作而同时移载的一组所述移载对象物的分区,在所述分区外具有未配置所述移载对象物的非配置区域,所述多个分区分别被所述非配置区域包围。
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公开(公告)号:CN118043942A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202280065905.X
申请日:2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种接合型晶片的剥离方法,从接合型晶片剥离支撑体,所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部,且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合,其中,所述接合型晶片的剥离方法包括将激光照射至所述接合型晶片,由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光,使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解,从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。由此,提供一种分离方法,所述分离方法在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中,元件结构部的残存率高。
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公开(公告)号:CN114616730A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202080061288.7
申请日:2020-08-20
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 一种发光二极管LED晶粒(32)的制造方法包含下述步骤:提供一基板(30),及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构(32)于基板(30)上。制造方法亦包含下述步骤:提供一接收板件(42),其具有一弹性体聚合物层(44);安装基板(30)与接收板件(42),以与由弹性体聚合物层(44)施加的一粘着力呈物理接触;及执行一激光剥离LLO工艺,借由导引一均匀激光光束(40)通过基板(30)而到达位于与基板(30)连接的一接口的半导体层(50),以剥离此些半导体结构(32)至弹性体聚合物层(44)之上。在LLO工艺期间,弹性体聚合物层(44)作为一冲击吸收器以减少动量移转,并作为一粘着表面以将此些半导体结构(32)固持在接收板件(42)上的一定位置。
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公开(公告)号:CN113039254A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN201980075863.6
申请日:2019-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/07 , C08F290/06 , C09J4/02 , C09J7/38 , C09J11/04 , C09J183/04
Abstract: 下述组合物给予作为临时固定材料具有优异的粘着性和弹性模量的的固化物,该组合物含有:(A)在1分子中具有2个由式(1)(R1表示C1‑20的一价烃基,R2表示氧原子等,R3表示丙烯酰氧基烷基等,p表示0~10,a表示满足1~3的数)表示的基团的有机聚硅氧烷,(B)不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物,(C)包含(a)由式(2)(R1、R2、R3、a和p与上述相同)表示的单元、(b)R43SiO1/2单元(式中,R4表示碳原子数1~10的一价烃基。)和(c)SiO4/2单元、(a)单元和(b)单元的合计与(c)单元的摩尔比在0.4~1.2:1的范围的有机聚硅氧烷树脂,(D)光聚合引发剂,不含非交联性的有机聚硅氧烷树脂。
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公开(公告)号:CN111574838A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN202010090133.8
申请日:2020-02-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的技术问题在于提高晶圆级光半导体装置用树脂组合物的固化物的耐热性、耐光性,并同时实现低线膨胀系数化、高硬度化,谋求提高使用所述固化物进行了密封的晶圆级光半导体装置的机械可靠性。所述晶圆级光半导体装置用树脂组合物以特定的量含有(A-1)具有支链结构的有机聚硅氧烷、(A-2)直链状有机聚硅氧烷、(A-3)有机氢聚硅氧烷、(A-4)铂族金属类催化剂、及(B)平均粒径(D50)为4~50μm的熔融二氧化硅,(A-1)~(A-4)成分在未固化的状态下表现出特定范围的折射率。
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