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公开(公告)号：CN112746323A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011188769.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。
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公开(公告)号：CN106464228A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024395.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H03H9/145 , H01L41/187 , H03H9/25
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/18 , H03H9/02559 , H03H9/145 , H03H9/25
Abstract: 本发明的目的在于提供一种翘曲小，无破裂、损伤，温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板，具体地说，具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高，越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外，在本发明的压电性氧化物单晶基板中，从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成，基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。
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公开(公告)号：CN109891747B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780066532.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。
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公开(公告)号：CN109417367B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780040222.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在贴合后的工序中加热到400℃以上也不会产生压电单晶膜的整面剥落的声表面波器件用复合基板。通过准备压电单晶基板和支承基板，将由无机材料构成的膜成膜于压电单晶基板和支承基板中的至少任意一方，并且将压电单晶基板与支承基板以夹持由无机材料构成的膜的方式进行接合，从而制造复合基板。
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公开(公告)号：CN108702141B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201780006333.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957986A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910846552.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不易在电材料层的外周端产生瑕疵，并且不易产生从外周端的剥离的声表面波器件用的复合基板及其制造方法。声表面波器件用复合基板是压电材料单晶薄膜和支承基板在接合面处接合在一起的复合基板，其特征在于，支承基板具备闭合的第一轮廓线，接合面具备闭合的第二轮廓线，压电材料单晶薄膜具备闭合的第三轮廓线，在将第一轮廓线及第三轮廓线垂直地投影到包含接合面的平面时，第一轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠外侧，第三轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠内侧。
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公开(公告)号：CN109417376A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040362.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。
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公开(公告)号：CN108885971A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021504.3
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。
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公开(公告)号：CN109891747A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066532.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。
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