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公开(公告)号：CN101247026A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810005655.2
申请日：2008-02-14
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备。红色表面发射激光器元件包括：第一反射器；包括p型半导体多层膜的第二反射器；在第一反射器和第二反射器之间的活性层；以及在活性层和第二反射器之间的p型半导体间隔层，该p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度。
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公开(公告)号：CN101447643B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810178670.7
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/18358 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/34326 , H01S2301/163
Abstract: 本发明涉及一种表面发射激光器和使用表面发射激光器形成的光学设备。表面发射激光器在第一分布式布拉格反射器和第二分布式布拉格反射器之间具有活性层。形成第一分布式布拉格反射器以便具有被包括在反射阻带中的谐振模和与谐振模不同的第一纵模以及被排除在反射阻带之外的与谐振模和第一纵模不同的第二纵模。在第一纵模和第二纵模下振荡被抑制。结果，表面发射激光器可在单纵模下振荡，从而抑制纵模跳跃。
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公开(公告)号：CN101621180A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910164918.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备。红色表面发射激光器元件包括：第一反射器；包括p型半导体多层膜的第二反射器；在第一反射器和第二反射器之间的活性层；在活性层和第二反射器之间的P型半导体间隔层，该p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度；以及在所述p型半导体间隔层和所述活性层之间的另一个间隔层，所述另一个间隔层是杂质浓度比所述p型半导体间隔层低的半导体层。
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公开(公告)号：CN101132118A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710147710.7
申请日：2007-08-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 竹内哲也
CPC classification number: H01S5/18369 , B82Y20/00 , H01L33/105 , H01S5/10 , H01S5/18358 , H01S5/3201 , H01S5/34306 , H01S5/34333 , H01S5/3436
Abstract: 公开了一种光学设备，包括具有光学厚度不为λ/4的层的多层反射器，以及一种使用这种光学设备的垂直腔面发射激光器。能够抑制由λ/4光学厚度的偏差造成的共振频率偏移或反射率下降，从而改善性能和产量。用于产生波长λ的光的光学设备包括反射器和活性层。反射器为半导体多层反射器，包含被交替层压并具有不同折射率的第一层和第二层。第一层具有小于λ/4的光学厚度。第二层具有大于λ/4的光学厚度。在第一层和第二层之间的界面位于既不在反射器内光强分布的波节的位置也不在波腹的位置。
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