检测器件制造方法、检测器件和检测系统

    公开(公告)号:CN102810547B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210168410.8

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中,所述检测器件包括排列在基板上的多个像素,并且还包括层间绝缘层,所述像素各自包括开关元件和转换元件,所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层,所述电极设置在所述开关元件之上,针对每个像素被隔离,并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成,所述层间绝缘层由有机材料制成,设置在所述开关元件与所述电极之间,并且覆盖所述开关元件,所述方法包括:形成绝缘构件,所述绝缘构件均由无机材料制成,并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层;和形成杂质半导体膜,所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极,并且变为所述杂质半导体层。

    检测设备和检测系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103066083A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210404438.7

    申请日:2012-10-22

    CPC classification number: H01L27/14609 H01L27/14665

    Abstract: 本发明提供一种检测设备和检测系统,检测设备包括:晶体管,其配置在基板上;转换元件,其配置在晶体管上并连接至晶体管;电容器,其与转换元件并联连接至晶体管,该电容器在基板和转换元件之间包括:连接至转换元件的欧姆接触部、连接至欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与半导体部和欧姆接触部相对的位置处的导电部;以及电势供给单元,用于向导电部选择性地供给第一电势以在半导体部中积累载荷子,以及向导电部选择性地供给第二电势以耗尽半导体部。由上述方式配置的检测设备能够控制像素的电容,从而实现高的信噪比。

    放射线检测装置的制造方法、放射线检测装置和放射线成像装置

    公开(公告)号:CN101842901B

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN200880114009.8

    申请日:2008-11-04

    CPC classification number: H01L27/14663

    Abstract: 本发明涉及放射线检测装置的制造方法、放射线检测装置和放射线成像装置。本发明的目的是实现轻型的放射线检测装置,包括以下的步骤:制备矩阵阵列,所述矩阵阵列包含基板、布置于该基板上的绝缘层和布置于该绝缘层上的多个像素,其中,所述像素包含将入射的放射线转换成电信号的转换元件和布置于所述多个像素的外周的连接电极;将用于覆盖所述多个像素的柔性支撑部件固定到所述矩阵阵列的与基板相反的一侧;以及使所述基板从所述矩阵阵列脱离。

    检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统

    公开(公告)号:CN102222675A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110087328.8

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: H01L27/14663 H01L27/14665 H01L31/18

    Abstract: 本发明涉及检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统。提供了一种检测装置,其包括:衬底;开关元件,布置在衬底上方并且包括多个电极;导电线,布置在衬底上方并且与开关元件的多个电极中的第一电极电连接;和转换元件,包括布置在开关元件和导电线上方并且布置在两个电极之间的半导体层,所述两个电极中的一个电极与开关元件的多个电极中的第二电极电连接。所述转换元件的所述一个电极通过在所述一个电极和开关元件的第一电极之间或在所述一个电极和导电线之间形成的空间而被布置在开关元件和导电线上方。

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