公开(公告)号：CN1610136A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410062177.0

申请日：2004-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  森大树 ,  片山浩二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II－VI化合物半导体区和II－VI化合物半导体层。II－VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II－VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II－VI化合物半导体层电连接。

公开(公告)号：CN1599086A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410032570.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中村孝夫 ,  森大树 ,  片山浩二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n－型ZnMgSSe覆盖层(3)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p－型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。

公开(公告)号：CN1186824C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN01117149.9

申请日：2001-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/283 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L33/0083 ,  Y10S438/931

Abstract: 获得了具有低接触电势的欧姆电极的化合物半导体器件的制造方法和化合物半导体器件的制造设备。该方法包括衬底清洗工序，其包括第一清洗步骤，在不大于250℃的温度范围内，加热含有第一导电类型杂质的化合物半导体衬底(1)，用氯化氢腐蚀其表面，和第二清洗步骤，对在所述第一清洗步骤之后用氯化氢腐蚀过的所述化合物半导体衬底(1)进行游离基氢化处理。

公开(公告)号：CN103560191A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310467660.6

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101685824B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910178703.2

申请日：2009-09-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法。在氮化镓基外延晶片中，轴Ax上的三个点P1、P2和P3的斜角分别为θ1＝0.2度，θ2＝0.4度，θ3＝0.6度。另外，点P1附近的InGaN阱层的铟含量大于点P3附近的InGaN阱层的铟含量。在轴Ax上的三个点P1、P2、P3求出参照图12说明的阱层的平均厚度，阱层的平均厚度DW1、DW2、DW3的值在轴Ax上单调地增加。另外，InGaN层的铟含量按点P1、P2和P3的顺序单调地减少。因此，提供氮化镓基外延晶片，所述外延晶片用于提供可以缩小设置在氮化镓衬底上的包含阱层的有源层的发光波长分布的结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN102187480A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141389.9

申请日：2009-10-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  京野孝史 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供具有优良的光提取效率的氮化物基半导体发光元件。发光元件(11)包括支撑基体(13)和半导体层叠体(15)。半导体层叠体(15)包含n型GaN基半导体区域(17)、有源层(19)和p型GaN基半导体区域(21)。n型GaN基半导体区域(17)、有源层(19)和p型GaN基半导体区域(21)搭载在主面(13a)上，且沿着与主面(13a)正交的规定轴Ax的方向配置。支撑基体(13)的背面(13b)相对于与沿着支撑基体(13)的六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面而倾斜。向量VC表示c轴方向。背面(13b)的表面形态M具有朝 轴的方向突出的多个突起(23)。规定轴Ax的方向与基准轴的方向(向量VC的方向)不同。

公开(公告)号：CN1585144B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200410057832.3

申请日：2004-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 平山秀树 ,  秋田胜史 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。

公开(公告)号：CN102025104A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010284406.9

申请日：2010-09-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

公开(公告)号：CN101874309A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200980101123.1

申请日：2009-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 氮化物类半导体光元件(LE1)中，内含应变的阱层(21)沿着相对于与c轴方向上延伸的基准轴正交的面以倾斜角(α)倾斜的基准平面(SR1)延伸。倾斜角(α)在大于59度且小于80度的范围及大于150度且小于180度的范围。与具有负压电电场的发光层(SP-)相邻地具有带隙大于势垒层的带隙的氮化镓类半导体层(P)。阱层(W3)中的压电电场的方向为自n层向p层的方向，氮化镓类半导体层(P)中的压电电场的方向为自p层向n层的方向。因此，在发光层(SP-)与氮化镓类半导体层(P)的界面上，不是在导带而是在价带上形成有倾角。

公开(公告)号：CN101868848A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200980101042.1

申请日：2009-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  善积祐介 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供无需进行活化退火就可以提供包含p型掺杂剂的氮化镓基半导体的、p型氮化镓基半导体的制作方法。在生长炉(10)中在支撑体(13)上形成包含p型掺杂剂的GaN基半导体区域(17)。向生长炉(10)中供给有机金属原料及氨，在GaN基半导体层(15)上生长GaN基半导体层(17)。该GaN基半导体中添加有p型掺杂剂，作为p型掺杂剂例如为镁。形成GaN基半导体区域(15)、(17)后，在生长炉(10)中形成包含单甲胺及单乙胺中的至少任意一种的氛围(19)。提供氛围(19)后，从GaN基半导体区域(17)的生长温度开始降低衬底温度。成膜完成后，使衬底温度降低到室温附近时，完成p型GaN基半导体(17a)及外延晶片E的制作。