公开(公告)号：CN107109693B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201580061654.8

申请日：2015-05-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  西口太郎 ,  玄番润

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: 一种碳化硅外延基板的制造方法，所述方法包括：准备碳化硅单晶基板的步骤(S101)；将碳化硅单晶基板放置在成膜装置的腔室内并降低腔室内的压力的步骤(S102)；将腔室内的温度升高到第一温度的步骤(S103)；将氢气引入到腔室内而调节腔室内的压力的步骤(S104)；将烃气体引入到腔室内的步骤(S105)；在保持腔室内的调节后的压力和氢气的流量并引入烃气体的状态下，将腔室内的温度升高到第二温度并将温度在第二温度下保持预定时间的基板改性步骤(S106)；和通过在保持第二温度的状态下将硅烷气体引入到腔室内而在碳化硅单晶基板上生长外延层的步骤(S107)。

公开(公告)号：CN107109693A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061654.8

申请日：2015-05-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  西口太郎 ,  玄番润

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: 一种碳化硅外延基板的制造方法，所述方法包括：准备碳化硅单晶基板的步骤(S101)；将碳化硅单晶基板放置在成膜装置的腔室内并降低腔室内的压力的步骤(S102)；将腔室内的温度升高到第一温度的步骤(S103)；将氢气引入到腔室内而调节腔室内的压力的步骤(S104)；将烃气体引入到腔室内的步骤(S105)；在保持腔室内的调节后的压力和氢气的流量并引入烃气体的状态下，将腔室内的温度升高到第二温度并将温度在第二温度下保持预定时间的基板改性步骤(S106)；和通过在保持第二温度的状态下将硅烷气体引入到腔室内而在碳化硅单晶基板上生长外延层的步骤(S107)。

公开(公告)号：CN106715767A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580053722.6

申请日：2015-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  和田圭司 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  土井秀之 ,  平塚健二

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/34

Abstract: 碳化硅外延基板(100)包含：碳化硅单晶基板(10)；和在碳化硅单晶基板(10)上的外延层(20)。碳化硅单晶基板(10)具有100mm以上的直径。外延层(20)具有10μm以上的厚度。外延层(20)具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度。外延层(20)的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的载流子浓度的平均值的比率为10％以下。外延层(20)具有主表面(21)。主表面(21)在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa。在主表面(21)中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下。凹坑(2)各自具有自主表面(21)起算8nm以上的最大深度。