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公开(公告)号：CN101517715B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780034062.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L21/31608 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。
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公开(公告)号：CN101611479A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880004951.9
申请日：2008-02-07
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。
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公开(公告)号：CN105431931A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480041977.6
申请日：2014-07-29
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 佐泽洋幸
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体基板，第1超晶格层具有多个由第1层以及第2层构成的第1单位层，第2超晶格层具有多个由第3层以及第4层构成的第2单位层，第1层由Alx1Ga1-x1N(0＜x1≤1)构成，第2层由Aly1Ga1-y1N(0≤y1＜1、x1＞y1)构成，第3层由Alx2Ga1-x2N(0＜x2≤1)构成，第4层由Aly2Ga1-y2N(0≤y2＜1、x2＞y2)构成，第1超晶格层的平均晶格常数与第2超晶格层的平均晶格常数不同，在从第1超晶格层以及第2超晶格层选择出的1个以上的层中，以超过7×1018[atoms/cm3]的密度含有用于提高耐电压的杂质原子。
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公开(公告)号：CN101971307A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108716.0
申请日：2009-03-18
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1054 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66522 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路形式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。提供一种半导体装置，其具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、对所述通道层供给电子的电子供给层、形成在与所述电子供给层的所述通道层相对向的面的相反面的含有氮的3-5族化合物真性或n形的半导体层、以及与所述半导体层接触而形成的，或者在与所述半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。
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公开(公告)号：CN101960576A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107379.3
申请日：2009-03-18
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。
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公开(公告)号：CN101611471A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880004854.X
申请日：2008-02-12
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III－V族半导体外延结晶，氮化物系III－V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。
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公开(公告)号：CN101517715A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034062.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L21/31608 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。
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