公开(公告)号：CN104104356B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201410301667.5

申请日：2009-11-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 深野彻 ,  西井润弥

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/171 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0533 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02897 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/172 ,  H03H9/25 ,  Y10T29/49005

Abstract: 本发明提供一种SAW装置(1)，其具有传播弹性波的压电基板(3)、配置于压电基板(3)的第一表面(3a)上的梳状电极(6)。另外，SAW装置(1)具有：相对于第一表面(3a)配置且与梳状电极(6)电连接的柱状的端子(15)、覆盖端子(15)的侧面的罩部材(9)。端子(15)在高度方向的第一区域，第一表面(3a)侧的直径比第一表面(3a)的相反侧的直径大。

公开(公告)号：CN104104356A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410301667.5

申请日：2009-11-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 深野彻 ,  西井润弥

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/171 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0533 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02897 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/172 ,  H03H9/25 ,  Y10T29/49005

Abstract: 本发明提供一种SAW装置(1)，其具有传播弹性波的压电基板(3)、配置于压电基板(3)的第一表面(3a)上的梳状电极(6)。另外，SAW装置(1)具有：相对于第一表面(3a)配置且与梳状电极(6)电连接的柱状的端子(15)、覆盖端子(15)的侧面的罩部材(9)。端子(15)在高度方向的第一区域，第一表面(3a)侧的直径比第一表面(3a)的相反侧的直径大。

公开(公告)号：CN101803189B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200880106577.3

申请日：2008-10-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 深野彻 ,  大久保佳洋 ,  西井润弥

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H9/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1085 ,  H03H9/1092 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够抑制由保护盖变形而导致的电气特性恶化、可靠性良好的弹性波装置及其制造方法。弹性波装置具有使弹性波传播的压电基板(1)；配置在压电基板(1)的第1主面上的激励电极；与激励电极电连接的柱状外部连接用电极(10)；具有收容激励电极的中空的收容空间(8)、并配置在第1主面上的保护盖(17)；以及配置在保护盖(17)上、与外部连接用电极(10)连接的导体层(18)。

公开(公告)号：CN103119847A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180046302.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  岸野哲也 ,  田中宏行 ,  小林京平 ,  山本显嗣 ,  下园雅久 ,  生田贵纪 ,  西村道明

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/6406

Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。