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公开(公告)号：CN118466863A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410937903.6
申请日：2024-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本说明书公开了一种数据存储方法、装置、存储介质及电子设备，根据待存储数据确定出用于存储待存储设备的若干个目标内存空间，确定若干目标内存空间包含的各单元存储位数量，而后按照确定出的数量对各单元存储位进行编号，从而根据待存储数据的数据量，组合各单元存储位对应的编号，针对待存储数据中的每个数据，确定该数据对应的编号组合以及该数据对应的编号，按照数据对应的编号存储该数据。通过对若干个目标内存空间包含的各单元存储位进行编号，并对编号进行组合，可根据得到的打乱序号的各编号组合中每个数据对应的编号将数据存储至该编号对应的单元存储位。更均匀地将数据存储至各目标内存空间中，提高了数据的存储以及读取效率。
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公开(公告)号：CN116314169B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN116314169A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN115542461B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211414571.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和TM模式逆向设计波分解复用器，各器件之间通过光波导进行连接，高速锗硅探测器通过高频引线和高频电极与外部功能芯片连接。本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，串扰高的问题。
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公开(公告)号：CN117471676A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311513166.9
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了可晶圆集成的含有静电驱动垂直微镜的耐高温干涉仪，包括晶圆及其上的固定干涉臂和可调干涉臂，可调干涉臂包括固定电极和静电驱动的垂直微镜，垂直微镜包括透镜及驱动电极，通过固定电极和驱动电极之间的排斥或吸引实现垂直微镜的偏转或折射率改变，使得通过调干涉臂的光程差发生改变，再与通过固定干涉臂的光形成干涉，其中可调干涉臂的制备工艺为：在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极及垂直微镜，对形成的垂直侧壁进行平坦化抛光；在晶圆、固定电极和垂直微镜表面沉积绝缘层；在晶圆的上表面形成电极及互连线图形，在垂直微镜上沉积金属层，通过剥离的方法形成引线互连；去除垂直微镜未被金属层覆盖的绝缘层，形成透镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116520487B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310812463.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种偏振不敏感的硅基光接收集成芯片及其实现方法。该芯片包括端面耦合器、波分解复用器、光电探测器阵列及偏振自动反馈调节装置。在波分解复用器的上层沉积有相变材料，波分解复用器具有多个输出端口，多个输出端口包括偏振检测端口，波分解复用器的偏振检测端口连接偏振自动反馈调节装置的一端；偏振自动反馈调节装置的另一端用于连接至设于芯片外部的信号激励装置，偏振自动反馈调节装置用于测量偏振检测端口的输出光功率的强度来得到当前入射光的偏振态，并基于当前入射光的偏振态来控制信号激励装置产生激励信号的强度以触发相变材料的相态改变，进而调节波分解复用器的最佳工作偏振态以实现入射偏振不敏感。
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公开(公告)号：CN116722061A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211411194.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/101 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法，所述锗硅探测器包括自下而上依次设有的半导体衬底、P型重掺杂硅层、I型非掺杂本征硅层、N型重掺杂硅层、非掺杂本征锗层、P型重掺杂锗层，所述P型重掺杂硅层上设有与P型重掺杂硅层相连的金属接触电极一，所述P型重掺杂锗层上设有与P型重掺杂锗层相连的金属接触电极二，所述锗硅探测器在器件有源区形成PINIP型整体掺杂结构。将宽光谱光源垂直入射锗硅探测器根据入射波长光源不同被锗材料或硅材料吸收光子，通过控制锗硅探测器外部施加电压选择硅‑PIN光电探测器结构或者锗‑PIN光电探测器结构来实现电压控制的宽光谱探测，拓宽锗硅探测器应用领域。
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公开(公告)号：CN115903130B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202211498280.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超表面透镜锥型波导及其波前整形方法，该波导包括输入多模波导端，超表面透镜区域，锥形区域以及输出单模波导端。超表面透镜区域和紧凑的锥形区域通过拓扑优化逆向设计，连接在光信号输入端和输出端之间，光信号经过超表面透镜区域聚焦到锥形区域从输出端输出。本发明基于水平集方法对器件进行拓扑优化逆向设计，利用片上超表面透镜实现了短距离的聚焦，大大地缩短了锥形区域的长度，且插损仅不到1db。本发明主要结合超表面透镜的聚焦效应和逆向设计的优化方法，通过对片上集成光的调控，为在芯片上实现波前整形提供了新的方式，进一步迈向更小型化更紧凑的集成光学器件。
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公开(公告)号：CN116429300A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310685836.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅和微流道冷却的超高温压力传感芯片及系统，使用底部各向异性腐蚀并氧化和在压阻式的半导体电阻的周围刻蚀电阻分隔结构并填充和覆盖绝缘层相结合的方法，将组成惠斯登电桥的半导体电阻用二氧化硅层绝缘隔离包裹起来，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题。本发明还提出了使用微流道环绕高温压力传感芯片的微组装方法，隔离了外界高温并降低了芯片周围温度，使得系统可以在高于硅基压力传感芯片最高工作温度的1000℃以上的超高温环境中工作。同时这种微流道环绕芯片进行冷却的方法也适用于其他材质和原理的工作在极端高温环境中的传感器、集成电路、大功率器件等。
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公开(公告)号：CN115165102B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211069036.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大带宽高分辨率紧凑型的片上光谱仪及检测方法，包括输入端口光栅、微环谐振器、刻蚀衍射光栅以及探测器阵列，各部分之间通过单模波导连接，其中微环谐振器上集成有加热电极，所述加热电极用于调节所述微环谐振器的输出波长，使输出波长覆盖整个自由光谱范围。本发明微环谐振器的输出光谱具有周期性，波长相隔一个自由光谱范围的光从微环谐振器的输出端口输出，记录微环谐振器输出波长调节一个完整的自由光谱范围所需电压，并选取调节电压间隔点数Ncounts；微环谐振器的自由光谱范围FSR等于刻蚀衍射光栅的通道间隔，按照步进点数扫描加热电极电压，即可通过探测器阵列测量完整的光谱，检测方便。
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