一种带嵌入式微通道冷却结构的3D堆叠芯片

    公开(公告)号:CN115763405A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211421037.2

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,公开了一种带嵌入式微通道冷却结构的3D堆叠芯片,包括基板,基板上具有壳体,壳体上具有冷却液入口和冷却液出口,壳体内具有芯片组,芯片组由多个芯片堆叠而成,冷却液由冷却液入口进入,经过芯片组后从冷却液出口流出。本发明采用并行的歧管式结构,使芯片上冷却液分布更均匀;利用通孔形成环形鳍片结构,无需额外设计换热通道、增加芯片高度;通孔贯穿芯片,内部可填充导电金属,实现堆叠芯片的电路连接。本发明基于硅通孔的结构布局微通道,最大程度地增加微通道数量;利用歧管结构使冷却液均匀分布,实现高效率换热。

    一种激光通信终端的热控方法及对应的激光通信终端

    公开(公告)号:CN118487650B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410701664.4

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 在本说明书提供的一种激光通信终端的热控方法及对应的激光通信终端中,通过确定该激光通信终端所属的卫星的轨道信息,确定该激光通信终端在轨时的环境温度范围。并根据该激光通信终端中的各组件的位置,对该激光通信终端的表面进行区域划分,确定各待处理区域,然后根据该环境温度范围和该激光通信终端各组件可正常运行的工作温度范围,确定各待处理区域所需的表面发射率的范围和太阳吸收率的范围,从而确定目标表面处理方法,以基于对各待处理区域的表面处理,实现所述卫星运行时所述激光通信终端的热控。实现低轨卫星的激光通信终端的被动热控,代替通过MLI实现对激光通信终端的热控,降低激光通信终端的热控成本,以及热控难度。

    双面式芯片组及其散热方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116247019A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310088592.6

    申请日:2023-01-16

    Abstract: 本申请涉及高功率密度芯片嵌入式冷却技术领域,特别是涉及一种双面式芯片组。双面式芯片组包括第一基板,中间基板,第二基板。第一基板上加工有第一芯片;第二基板上加工有第二芯片,中间基板开设有入流口、出流口、入流通道以及出流通道,冷却介质从入流口通入入流通道,然后直接流入第一换热腔和第二换热腔进行换热,升温后的冷却介质在出流通道汇流,汇流后的冷却介质再从出流口排出,本申请通过对第一基板和第二基板以及中间基板的加工,在其本体上形成冷却通道,无需额外的冷却管路,且第一芯片以及第二芯片贴合各自所在的基板,使得整个双面式芯片组具有较高的换热效率,因此大大提升了芯片的散热能力。

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