光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法

    公开(公告)号:CN116859522B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311107122.6

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请涉及一种光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法。其中,光栅耦合器包括:衬底与耦合波导。耦合波导位于衬底上。耦合波导包括光栅波导部与包覆部,光栅波导部位于包覆部内。光栅波导部包括光栅栅齿,光栅栅齿的开口方向背向衬底。衬底包括衬底部、导光部与隔离槽。在衬底所在的平面上,衬底部与隔离槽相邻,隔离槽与导光部相邻,隔离槽位于导光部与衬底部之间,且衬底部围绕隔离槽,隔离槽围绕导光部。导光部用于将入射至导光部的光以无发散的形式引导至光栅栅齿。根据本申请实施例,可以在具备制备工艺简单且制备成本低的优点,及避免对衬底强度造成较大影响的前提下,提升光栅耦合器的耦合效率。

    光栅耦合器及其制备方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116859521A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202311107119.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器及其制备方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的第一反射层、形成于第一反射层上的下埋层、形成于下埋层上的波导层、形成于波导层上的上包层、以及形成于上包层上的第二反射层,波导层包括多个二维光栅,多个二维光栅沿着光路传播路径方向设置。其中,沿着光路传播路径方向,从一个二维光栅进入的入射光中的部分光透过该二维光栅后会在第一反射层和第二反射层的反射作用下进入到下一个二维光栅。本申请能够同时兼顾对偏振的不敏感性以及高耦合效率。

    硅光子芯片光耦合结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN116840973A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202311124527.0

    申请日:2023-09-01

    Abstract: 本申请提供一种硅光子芯片光耦合结构及其设计方法。硅光子芯片光耦合结构包括第一光栅耦合器和第二光栅耦合器。第一光栅耦合器包括在第一方向上依次设置的第一包层、第一波导层、第一埋氧层和第一反射层,第一波导层包括第一光栅。第二光栅耦合器和第一光栅耦合器在第一方向上相对设置,包括在第一方向上依次设置的第二包层、第二波导层、第二埋氧层和第二反射层,第二包层和第一包层连接。本申请提供的硅光子芯片光耦合结构通过设置第一反射层和第二反射层,使光耦合结构中衍射的光被限制在第一反射层和第二反射层之间并沿光栅的长度方向传播,最大程度地减少光泄露,从而实现较高的耦合效率并提升对准容差,且构造简单,易于优化及加工。

    光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN116819689A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202311107072.1

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的金属反射层、形成于金属反射层上的第一氧化层、形成于第一氧化层上的光栅、形成于光栅上的第二氧化层、以及形成于第二氧化层上的扭转向列液晶透镜,扭转向列液晶透镜包括扭转向列液晶层及位于扭转向列液晶层相对两侧的电极,其中,通过在扭转向列液晶层相对两侧的电极上施加不同的外部电压,使扭转向列液晶层中的液晶分子重新排列,旋光性消逝,进而用于调节通过光纤入射至光栅耦合器的入射光的偏振态。本申请能够方便地调节入射光的偏振态。

    一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法

    公开(公告)号:CN116609897A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310893682.2

    申请日:2023-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法,该封装结构由芯片、转接板芯片和PCB构成;其芯片上有交替连接的植球焊盘和导线;转接板芯片上有交替连接的BGA、倒装焊接焊盘和引线键合焊盘及导线;转接板上的引线键合焊盘用来验证引线键合连通率;芯片和转接板之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试;其转接板和PCB通过BGA形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试;该结构有2048个端口,通过线路和结构的设计,最大可以满足256×256规模光交换芯片封装的技术开发和验证,降低光交换芯片电学封装的成本,提高了芯片封装验证效率和设计开发周期。

    一种光芯片、芯片封装结构及封装性能检测方法

    公开(公告)号:CN116165753A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310418377.8

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本发明涉及一种光芯片、芯片封装结构及封装性能检测方法,包括导电柱、基板以及设置于所述基板正面的光学端口,所述基板上开设有通孔,所述导电柱填充在所述通孔内,且所述导电柱的两个端部分别位于所述基板的正面和背面,所述导电柱在所述基板正面的端部为检测端口,所述导电柱在所述基板背面的端口为通讯端口。针对较大尺寸的光芯片,通讯端口可以和扇出板正对直接键合,实现光芯片和扇出板的电连接,而光学端口和检测端口则位于基板背离扇出板的一侧,由此也就使光学端口可以直接与基板上方的光纤阵列进行耦合,不会受到基板的阻挡,同时实现了光学端口和通讯端口的封装,由此也避免了在扇出板上进行开窗或者改变扇出板形状。

    一种基于光电芯片双面工艺的三维封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN115542478B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211487042.3

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明涉及光电芯片封装技术领域,特别是一种基于光电芯片双面工艺的三维封装结构及封装方法,该三维封装结构中,光电芯片之间在通过导电结构实现电连接的同时,还能够通过微型透镜实现光学端口的纵向互联,这种封装结构不限制光电芯片的片数,形成的三维封装结构不仅结构紧凑,且相比于将两个或多个芯片分别封装集成,以及将两个或多个芯片平铺进行端面耦合,封装后的结构体积更加小巧。

    光电子芯片、堆叠封装结构和光电子芯片的制作方法

    公开(公告)号:CN115877521A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211505605.7

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种光电子芯片、堆叠封装结构和光电子芯片的制作方法。堆叠封装结构包括至少两个光电子芯片,多个光电子芯片沿厚度方向堆叠排列。光电子芯片包括波导和光反射模组,波导用于传导预设光信号;光反射模组包括用于反射光信号的反射面,反射面相对于波导所处的平面倾斜设置,并用于接收和反射光信号。在上述结构中,利用光反射模组不仅可改变自波导中传出的光信号的传导方向,使得沿厚度方向垂直排列的其他光电子芯片可接收对应的光信号。还可将接收到的光信号传导至自身的波导上。通过上述设置,使得堆叠封装结构可满足各种形态的需求,提升其整体结构的灵活性和适应性。

    一种光频梳的仿真方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN115795846A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211469559.X

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本说明书公开了一种光频梳的仿真方法、装置、设备及存储介质,可以根据用户输入的各器件的初始参数,在仿真环境中,构建出对应的虚拟器件,并通过虚拟器件进行仿真,以获取到由这些虚拟器件产生的光频梳谱线图,进而可以根据光频梳谱线图的图像信息,确定各初始参数对应的参数值域,并可以根据确定出的各初始参数的参数值域,对生成光频梳的实验器件进行配置,以降低生成光频梳实验器件损坏的可能性,从而降低光频梳的研究实验成本。

    光栅耦合器及其制备方法
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116859521B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311107119.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器及其制备方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的第一反射层、形成于第一反射层上的下埋层、形成于下埋层上的波导层、形成于波导层上的上包层、以及形成于上包层上的第二反射层,波导层包括多个二维光栅,多个二维光栅沿着光路传播路径方向设置。其中,沿着光路传播路径方向,从一个二维光栅进入的入射光中的部分光透过该二维光栅后会在第一反射层和第二反射层的反射作用下进入到下一个二维光栅。本申请能够同时兼顾对偏振的不敏感性以及高耦合效率。

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