公开(公告)号：CN117219518A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311466364.4

申请日：2023-11-07

Applicant: 之江实验室

Inventor： 李洁 ,  刘冠东 ,  王伟豪 ,  王传智 ,  段元星 ,  戚定定

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。

公开(公告)号：CN117038629A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311298879.8

申请日：2023-10-09

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王伟豪 ,  刘冠东 ,  李洁 ,  万智泉 ,  王传智 ,  段元星 ,  戚定定

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了基于玻璃载板的无塑封嵌入式晶上系统结构及制备方法，该基于玻璃载板的无塑封嵌入式晶上系统结构包括：玻璃载板、芯粒、硅中介层、外结构件及芯片贴膜。玻璃载板上设有沟槽和载板微流道，芯粒通过芯片贴膜粘结在沟槽内。芯粒的第一键合面设有第一金属衬垫。硅中介层堆叠于玻璃载板和芯粒，硅中介层设有第二金属衬垫、金属互连、硅通孔、第一金属重布线层及第三金属衬垫。外结构件上设有结构件微流道，结构件微流道与载板微流道连通。第一金属衬垫和第二金属衬垫键合，硅通孔、第一金属重布线层和第三金属衬垫与芯粒连接。玻璃载板可以防止芯粒和硅中介层集成后翘曲量的增加，降低了后续工序的难度。

公开(公告)号：CN117003197A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311247135.3

申请日：2023-09-26

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘冠东 ,  王传智 ,  刘楠 ,  王继厚 ,  王伟豪 ,  李洁 ,  万智泉 ,  戚定定 ,  张汝云

IPC: B81C1/00 ,  G01C21/16

Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。