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公开(公告)号：CN115050727B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210971081.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L25/18 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置，包括硅基板，所述硅基板上键合晶圆处理系统，所述晶圆处理系统的顶部通过弹性连接器连接有供电模块，所述晶圆处理系统的底部通过微型铜柱连接硅基板，所述硅基板内部对应所述晶圆处理系统映射区域通过金氧半场效晶体管MOSFET集成有逻辑功能电路块。本发明通过在晶圆处理器的硅基板中设计有源电路，通过硅基板中的BIST控制单元，实现了晶圆处理器Die与硅基板键合后系统的可测试功能，降低了晶圆处理器的维修难度和成本；对每个晶圆处理器Die及其内部每个独立模块的电源故障监测和精细化供电故障管理，避免影响其他晶圆处理器Die或此晶圆处理器Die其他模块功能的正常工作。
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公开(公告)号：CN115237036A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211155809.2
申请日：2022-09-22
Applicant: 之江实验室
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器系统的全数字化管理装置，使用可编程逻辑器件实现了对晶圆处理器系统主要功能单元的精细化控制，利用可编程逻辑器件多引脚和并行处理的优势，为每个单元提供独立的主控制器和物理通道，实现了高效率、高实时管理和故障隔离，使所有带有总线协议的被管理功能单元的从机地址实现了归一化。拓扑上，使用多个可编程逻辑器件组成一主多从的结构，主机与从机之间通过全双工高速接口连接，实现了管理IO引脚的扩展。将主控单元与从扩展单元安装在供电系统的不同层，有效利用了晶圆处理器供电板的空间，使由可编程逻辑器件组成的管理装置不影响系统的整体尺寸、供电密度和配电损耗。
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公开(公告)号：CN114860054B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210782350.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的供电装置，采用硅基板（3）作为晶圆级处理器的衬底基板，所述供电装置与硅基板（3）贴合，包括供电单元（16），所述供电单元（16）同时为多个处理器Die（2）供电，每个供电单元分为电源去耦层、核心电压层和外围电压层；所述处理器Die（2）连接电源去耦层，所述核心电压层设置于电源去耦层和外围电压层之间。本发明解决了晶圆级处理器的高密度的供电及处理器外围配套电路需求，具有高功率密度、低翘曲、低电源噪声、易维护等优点，可为低压大电流需求的同构或异构晶圆级处理器提供一体化供电解决方案。
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公开(公告)号：CN115149514A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202211059609.7
申请日：2022-08-31
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆处理器的共享控制式供电装置，采用多层垂直供电结构，将晶圆处理器的供电电路分为共享控制管理电路模块和直流变压及功率传输模块，所述直流变压及功率传输模块的上表面依次设置所述共享控制管理电路模块和所述晶圆处理器。本发明能有效提高晶圆处理器系统的供电密度，提高晶圆处理器供电系统的可靠性，降低晶圆处理器系统供电电路的功耗，实现了数字控制式供电系统，重新划分了供电系统的电压转换和控制管理平面，可为大功率晶圆处理器系统的高效供电提供一体化解决方案。
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公开(公告)号：CN115050727A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210971081.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L25/18 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置，包括硅基板，所述硅基板上键合晶圆处理系统，所述晶圆处理系统的顶部通过弹性连接器连接有供电模块，所述晶圆处理系统的底部通过微型铜柱连接硅基板，所述硅基板内部对应所述晶圆处理系统映射区域通过金氧半场效晶体管MOSFET集成有逻辑功能电路块。本发明通过在晶圆处理器的硅基板中设计有源电路，通过硅基板中的BIST控制单元，实现了晶圆处理器Die与硅基板键合后系统的可测试功能，降低了晶圆处理器的维修难度和成本；对每个晶圆处理器Die及其内部每个独立模块的电源故障监测和精细化供电故障管理，避免影响其他晶圆处理器Die或此晶圆处理器Die其他模块功能的正常工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759012B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210664279.8
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H05K1/18 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明公开了基于TSV工艺晶上系统与PCB板互连结构，包括底部结构件和顶部结构件，所述底部结构件与所述顶部结构件通过连接件可拆卸链接，所述底部结构件的上表面设置有底部凹槽，所述底部凹槽内设置有晶上系统，所述晶上系统的下表面与所述底部凹槽之间贴合连接，所述顶部结构件的下表面设置有顶部凹槽，所述顶部凹槽内通过连接件连接有PCB预制件，所述PCB预制件的另一端通过弹性连接器连接所述晶上系统。本发明不仅可解决大尺寸晶上系统与翘曲PCB板连通问题，还可以解决晶上系统散热问题，从而为晶上系统的供电、调试、信号输入输出提供技术支撑，为更高速率、更大容量的晶上系统的设计与制造提供技术保障。
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公开(公告)号：CN114650655B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210559461.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶圆预制件与PCB板的互连和散热结构及其制造方法，包括顶部结构件，所述顶部结构件的顶端可拆卸连接有风扇，所述顶部结构件的底端可拆卸连接有底部结构件，所述顶部结构件的底端设置有顶部凹槽，所述顶部凹槽内设置有PCB预制件，所述底部结构件的顶端设置有底部凹槽，所述底部凹槽内设置有晶圆预制件，所述PCB预制件和晶圆预制件之间通过柔性连接器连接，所述底部结构件的底端还设置有液冷管路组件，所述液冷管路组件的顶端贯穿所述底部结构件并延伸至所述底部凹槽内与所述晶圆预制件连接。本发明解决大尺寸晶圆预制件与翘曲PCB板互连互通和散热问题，从而为大功率晶圆供电，晶圆与PCB板之间快速、稳定信息交换提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN114860054A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210782350.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的供电装置，采用硅基板（3）作为晶圆级处理器的衬底基板，所述供电装置与硅基板（3）贴合，包括供电单元（16），所述供电单元（16）同时为多个处理器Die（2）供电，每个供电单元分为电源去耦层、核心电压层和外围电压层；所述处理器Die（2）连接电源去耦层，所述核心电压层设置于电源去耦层和外围电压层之间。本发明解决了晶圆级处理器的高密度的供电及处理器外围配套电路需求，具有高功率密度、低翘曲、低电源噪声、易维护等优点，可为低压大电流需求的同构或异构晶圆级处理器提供一体化供电解决方案。
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公开(公告)号：CN114630494A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210511528.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 之江实验室
IPC: H05K1/18 , H05K3/32 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/16
Abstract: 本发明公开了晶圆集成系统与顶部PCB板的互连结构及其制造方法，包括金属结构件，所述金属结构件内设置有凹槽，所述凹槽内设置有晶圆集成系统，所述晶圆集成系统的下表面与所述凹槽的上表面还设置有导热材料，所述金属结构件的顶端连接有刚性板，所述刚性板上连接有PCB板，所述PCB板上连接有电源模块和I/O模块，所述刚性板中设置有电气连接装置，所述电气连接装置的下表面连接所述晶圆集成系统，所述电气连接装置的上表面连接所述PCB板。本发明解决晶圆集成系统与传统PCB集成系统互通互连的关键技术难题，尤其能解决因PCB板翘曲引起的互连失效问题，从而为晶圆集成系统与传统印制电路集成系统混合集成提供可靠的技术保障。
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公开(公告)号：CN112100627B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011189630.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供一种适用于拟态防御系统的多队列随机参数归一化装置，通过计算随机参数请求散列值的方式归一化表征不同应用的随机参数请求，利用随机参数生效标签表征队列存储随机参数在不同执行的应用情况，基于多队列并行比较的方式，为拟态防御系统异构执行体提供统一的随机参数。所提出的多队列随机参数归一化装置，能解决乱序随机参数请求的同步问题，提高随机参数同步匹配效率。本发明将随机数、时间戳的随机参数应用需求归一化到统一的硬件装置中，可为拟态防御系统随机参数归一化提供一体化解决方案。
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