一种多值阻变存储器的振荡收敛编程方法及装置

    公开(公告)号:CN118760422B

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411246402.X

    申请日:2024-09-06

    Abstract: 本发明提供一种多值阻变存储器的振荡收敛编程方法及装置,该方法通过获取阻变存储器目标值范围并对其进行初始化。获取阻变存储器当前值,若在目标范围内,则成功编程;若阻变存储器当前值与目标范围的差异在阈值内,则减小步进值;若阻变存储器当前值大于目标值,则对阻变存储器施加脉冲信号,使其达到最低值,并将栅极电压的当前值减去栅极电压步进值作为栅极电压;反之,则将栅极电压的当前值加上栅极电压步进值作为栅极电压;对阻变存储器施加栅极电压,进行置位操作,并重复上述过程,直到达到阻变存储器目标值范围或者超过最大编程次数或时间。本发明可快速将阻变存储器收敛到目标值,可用并行编程方式加速,降低编程过程中的功耗。

    基于预定点的多值忆阻器编程方法和装置

    公开(公告)号:CN118522329B

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410977446.3

    申请日:2024-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于预定点的多值忆阻器编程方法和装置,预先设置编程参数,并对忆阻器单元进行初始化;在栅压控制的情况下,对忆阻器单元进行扫描,统计数据并进行拟合,得到拟合曲线;根据拟合曲线,得到测试对象的目标测试值对应的初始栅极控制电压,并初始化编程次数;获取测试对象的测量值,并判断测量值是否在目标范围内;如果测量值在目标范围内,则编程成功,退出编程过程;反之,则对忆阻器单元进行栅压调节,并增加编程次数;判断编程次数是否大于最大编程次数:如果大于最大编程次数,则证明本次编程失败,该忆阻器可能已损坏;反之则重复上述步骤,直到编程成功。本发明可大幅提高器件的编程效率,并且有效提高器件的使用寿命。

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