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公开(公告)号:CN113238320B
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202110520191.4
申请日:2021-05-13
Abstract: 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法,通过改变传统单环微环中的环形结构,将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算,进而得到插入器件的损耗,这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积,提高测量精度,对于低损耗波导特别适用。
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公开(公告)号:CN113176497B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202110431434.7
申请日:2021-04-21
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/327 , G01R31/26
Abstract: 本发明提出了一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法,包括以下步骤:在光交换阵列中选择被测单元和测试单元;输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号;在测试单元上加载反向电压,使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态;调节被测单元上的电压,通过观察测试单元上的电流信号,获得被测单元的状态;使用此方法,完成对整个光交换阵列中开关单元的校准;与目前技术相比,本发明使用阵列中已有的电光开关单元,通过加载反向电压使其实现光功率探测的功能,并用于前端开关单元的功率监测;不会增加额外的电学或是光学端口,极大降低了大规模硅基电光集成光开关阵列中开关单元校准以及后续电光封装的难度。
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公开(公告)号:CN113238320A
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202110520191.4
申请日:2021-05-13
Abstract: 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法,通过改变传统单环微环中的环形结构,将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算,进而得到插入器件的损耗,这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积,提高测量精度,对于低损耗波导特别适用。
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公开(公告)号:CN116009284A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202211638784.1
申请日:2022-12-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于双孔GST相变材料微型光开关单元及设计方法,包括衬底层,所述衬底层上表面设有导波层和相变材料结构,所述导波层为直平板slot波导,所述相变材料结构为双孔结构,且位于所述直平板slot波导结构中间,所述双孔结构内镶嵌有圆柱状的GST相变材料,所述衬底层、导波层和GST相变材料外表面包裹有保护层。通过设计出直平板slot波导和GST相变材料的混合集成,将GST相变材料镶嵌于直平板slot波导,通过GST相变材料的相态可对横电基模完成双通道选择输入和双路选通、模式切换的功能,具有高消光比、尺寸小、切换速率快的特点。
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公开(公告)号:CN115993092A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202211406471.3
申请日:2022-11-10
Applicant: 之江实验室
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种光学测量仪器及其实时自动校准系统,该光学测量仪器的转换接头与套管之间固定有第一透镜,反射镜通过压力片固定,物镜通过物镜转换接口固定在棱镜装载体上,分光棱镜安装在棱镜装载体上,第二透镜安装在第一套筒和第二套筒之间,圆柱转接块采用螺丝挤压安装在第一套筒的第一螺纹孔处,柱镜固定在圆柱转接块的槽体上,滑动套筒通过紧配合安装在第二套筒上,四象限探测器通过滑动套筒设置的第二螺纹孔安装在滑动套筒上。本发明结构简单、成本低、集成度好并且精度较高;同时为光交换芯片的光封装过程中光纤阵列的微小偏移提供了检测系统,有助于实时复位光纤阵列保持光纤阵列与芯片之间耦合稳定,工作损耗稳定保持最小值。
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公开(公告)号:CN115877505A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202310017831.9
申请日:2023-01-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统,将其中一个光子系统作为第一光子系统,将另一个光子系统作为第二光子系统,第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接,第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端,空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端,第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接,以使第一光子系统输出的光束,经过第一光子系统对应的光波导,通过空间折射结构,进入第二光子系统对应的光波导,输入到第二光子系统中,以连通第一光子系统与第二光子系统。本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。
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公开(公告)号:CN115598764B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211498170.8
申请日:2022-11-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种端面耦合器、光电子芯片和端面耦合器的制作方法。端面耦合器用于耦合光纤,其包括波导、第一包覆单元和支撑层。波导用于传导光信号;第一包覆单元开设有贯穿的空气槽,将第一包覆单元分割为中心部分和外围部分;支撑层设置于第一包覆单元的下方,其等效折射率小于第一包覆单元的折射率。在上述结构中,采用等效折射率较小的支撑层结构,避免折射率大于中心部分的衬底层与包裹有波导的中心部分接触,从而减少或者避免光信号向衬底层中泄露,有利于提升光纤中的光信号到光电子芯片的耦合效率。同时,可保证端面耦合器的结构强度。
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公开(公告)号:CN115437061B
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202211387833.9
申请日:2022-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本说明书公开了一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备。该光栅耦合器包括:波导层以及埋氧层,埋氧层设置在波导层下方,埋氧层中设置有第一反射装置,波导层包括第一波导、第二波导以及光栅,第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端,第二波导中设置有第二反射装置;第一波导用于引导目标光线射入光栅,第一反射装置用于将光栅垂直向下衍射的光线反射给光栅,第二反射装置用于将透过光栅的光线反射给光栅,光栅用于将目标光线、第一反射装置反射的光线以及第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射。
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公开(公告)号:CN115657209A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211588341.6
申请日:2022-12-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关,包括微环波导结构、直波导结构、交叉波导结构和超材料结构,所述直波导结构包括输入区、直通区和交叉区,并位于所述微环波导结构的外侧,所述交叉波导结构位于所输入区、直通区和交叉区的交叉口,所述超材料结构由相变材料硫化锑制备,并覆盖于所述微环波导结构上方,形成发挥调制作用的复合区。本发明所利用的相变材料硫化锑,具有大带隙、高折射率对比度、室温下的强稳定性以及低可见光和近红外波段损耗的优点,有助于克服在载流子色散效应下硅材料折射率的变化范围小的问题,进而缩小了硅基调制器的尺寸,降低了硅基调制器的能耗,进一步提升硅基调制器大规模集成的可行性。
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