公开(公告)号：CN103367589B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310086320.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。

公开(公告)号：CN103985792A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410048430.0

申请日：2014-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。