公开(公告)号：CN103594577A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310347775.1

申请日：2013-08-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 楠木克辉 ,  佐藤寿朗

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件（1），具有：含有n型杂质（Si）的n型覆盖层（142）；层叠在n型覆盖层（142）上的发光层（150）；和含有p型杂质且层叠在发光层（150）上的p型覆盖层（161）。发光层（150）具有多量子阱结构，所述多量子阱结构具备第1势垒层（1511）～第5势垒层（1515）和第1阱层（1521）～第4阱层（1524），且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层（150）中设为下述构成：以输出绿色光的组成设定第1阱层（1521）～第4阱层（1524），在第1势垒层（1511）中掺杂n型杂质，在第2势垒层（1512）～第5势垒层（1515）中不掺杂n型杂质。

公开(公告)号：CN103489969A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310225995.7

申请日：2013-06-07

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 寺西俊辅 ,  佐藤寿朗

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的课题是维持从半导体发光元件输出的光的波长的单一性，并且抑制与环境温度的上升相伴的发光效率的下降。本发明提供一种半导体发光元件，其具备含有n型杂质的n覆盖层（142）、层叠在n覆盖层（142）上的发光层（150）、和含有p型杂质并且层叠在发光层（150）上的p覆盖层（161）。发光层（150）具备第1势垒层（151a）～第8势垒层（151h）和第1阱层（152a）～第7阱层（152g），由两个势垒层夹持1个阱层。将第1阱层（152a）～第5阱层（152e）设为共同的基准阱厚度和共同的组成，并将第6阱层（152f）和第7阱层（152g）设为比共同的基准阱厚度厚的最大阱厚度且设为带隙比共同的组成大的组成。