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公开(公告)号：CN111864061A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010646049.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种自旋波传输特征的应力调控单元结构和方法，包括以下步骤：通过对附着在控制层上下表面的电极施加电场，使控制层产生应力变化，应力变化通过界面接触传递至附着在控制层上的自旋波波导层，由于逆磁致伸缩效应，自旋波波导层材料的磁各向异性发生变化，实现对自旋波传输特征的调控，其中控制层为铁电或压电材料。本发明可以通过电场控制自旋波波导的磁各向异性的连续性改变，可以高效、快速实现对自旋波传输特征的局部精确控制，为超低功耗和传统CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN117907516A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410042642.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N30/90 , G01N30/95 , G06F18/2411 , G06F18/213 , G06F18/211
Abstract: 本发明公开了一种大黄中活性成分分析方法，采用TLC‑DSERS方法对于中药材大黄进行光谱数据采集；采用基线校正、SG平滑及归一化方法的光谱数据进行预处理；采用CARS法进行特征波长筛选；使用支持向量机回归方法对中药中活性成分含量进行定量预测模型建立。相比于传统检测方法如气相色谱、液相色谱及液质联用等方法操作简便、快速；同时避免SERS灵敏度降低、稳定性较差的问题；可实现快速预测中药大黄中五种蒽醌类成分含量的目的。
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公开(公告)号：CN112002798A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010766282.1
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成，厚度为纳米级或微米级；底电极层，设置在压电层下，连接外部电源；磁性层，包括磁性纳米薄膜，紧贴在压电层上；顶电极，以栅极排列方式设置在磁性纳米薄膜两侧，连接外部电源，其中顶电极与磁性纳米薄膜之间保留一定间距。本发明的实质性效果包括：通过底电极层和顶电极对压电层施加电压，压电层产生的形变传递至磁性层，影响电极区域内磁性层的磁各向异性，进而控制其中磁畴壁的移动和钉扎，有利于提高赛道存储移动和钉扎磁畴壁的精准性，提高赛道存储的可靠性和稳定性的同时降低能量损耗。
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公开(公告)号：CN118109624A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410024863.6
申请日：2024-01-08
Applicant: 中国计量大学 , 四川省甘孜藏族自治州农技土肥站
IPC: C12Q1/6895 , C12Q1/6869 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了一种大黄DNA鉴定方法，包括以下步骤：步骤一：提取大黄DNA，步骤二：DNA进行PCR扩增，步骤三：对大黄DNA进行分析。本发明相对于传统的形态学特征鉴别、理化和显微鉴定，分子鉴定较为快速、准确和客观；DNA条形码是利用一段或几段短的DNA基因片段对物种进行快速和准确识别的分子技术；该技术具有准确高效、可实现自动化和标准化等优点，且克服了对专家及经验的依赖，可简便准确地对中药进行分析鉴定；叶绿体基因组序列一般比较保守，具有相对稳定的基因组结构、基因含量、基因顺序和较低的突变率，因此可基于叶绿体基因组高变区开发有效鉴别大黄的特异DNA条形码，以期对大黄真伪品、大黄物种进行鉴定。
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公开(公告)号：CN112002797A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010766278.5
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L41/04
Abstract: 本发明公开了一种基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法，包括多铁异质结，多铁异质结表面布设波导层，且有若干顶电极分布于波导层两侧，其中该逻辑器件分成若干功能区域：至少一个激发区，位于逻辑器件的一端，通过电极施加电压，多铁异质结产生的应变传递至波导层，影响波导层中的磁各向异性，进而使磁化方向产生偏转，最终激发自旋波；至少一个检测区，位于逻辑器件另一端，自旋波导致的波导层应变与多铁异质结耦合，产生微波电信号；至少一个调控区，位于激发区和检测区之间，通过电极调整电场以调控自旋波；利用自旋波干涉作用完成逻辑运算。本发明采用全电学方式工作，结构简单，有利于集成和加工，焦耳热低，静态功率小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112002687A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010766281.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成；铁磁薄膜条带，设置于压电层上；底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。工作时，与铁磁薄膜条带紧密贴合的压电层因施加电压而产生应变梯度，通过应变梯度完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎。本发明的实质性效果包括：放弃了传统驱动方式的电流驱动，通过将压电材料和磁致伸缩材料结合，利用电场就可以完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎，克服了存储单元体积增加、存储器件功耗增加和边界淹没等缺点，并可以将斯格明子信号准确钉扎在信号读取器处。
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公开(公告)号：CN112002361A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010766277.0
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元及方法，包括：底电极层，连接脉冲电压源；压电层，由铁电材料制成，设置于底电极层上；顶电极层，设置于压电层上，包含若干连接脉冲电压源的顶电极；磁性层，与顶电极处在同一层，由铁磁性材料制成，连接赛道存储器；其中磁性层的铁磁性材料具有磁各向异性，且具有磁致伸缩特性。在顶电极和底电极层施加脉冲电压使压电层产生应变，应变传递至磁性层并诱导产生磁畴壁，磁畴壁被驱动至赛道存储器；调整脉冲电压，以改变压电层的应变程度，进而写入不同的数据。本发明利用逆压电效应和磁致伸缩的逆效应，实现高存储密度，低功耗的磁畴壁写入。
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公开(公告)号：CN111208453A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911082109.3
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁电效应的多轴磁梯度计，包括读取单元及若干相互连接的多铁性磁传感器，所述读取单元输入端连接多铁性磁传感器，读取单元的输出端作为信号读取端，其中多铁性磁传感器分为若干方向。多铁性磁传感器感受到磁场后会产生电势差，利用相互连接的方式可以实现电势差的叠加或抵消，通过将若干多铁性磁传感器分为多个方向，可以同时检测多个方向的磁场强度，再通过电压的叠加或抵消得到输出值。本发明的实质性效果包括：通过特定结构及连接方式实现直接测量磁场强度差值，不再依赖额外的计算，测量简单快捷，且可以实现多方向的测量。
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公开(公告)号：CN111208452A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911082131.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明公开了一种用于多铁性磁传感器的直读式读出系统，包括多铁性磁传感器、直读模块及反馈模块，所述直读模块的输入端连接多铁性磁传感器，直读模块的输出端连接反馈模块的输入端，反馈模块产生反馈磁场，其中直读模块的输出端作为信号读取端。本发明引入了直读模块，读出电路中不需要解调模块，可以将非线性的磁场-电压特性曲线线性化的同时，大大降低读出电路的复杂度，便于多铁性磁传感器的大规模应用。
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公开(公告)号：CN212783508U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202021312022.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L43/02
Abstract: 本实用新型公开了一种自旋波传输特征的应力调控单元结构，包括控制层、顶电极、底电极层以及自旋波波导层，所述顶电极以及自旋波波导层设置在控制层上表面，底电极层设置在控制层下表面，控制层为铁电或压电薄膜。本实用新型可以通过电场控制自旋波波导的磁各向异性的连续性改变，可以高效、快速实现对自旋波传输特征的局部精确控制，为超低功耗和传统CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
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