公开(公告)号：CN114597321A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210214350.2

申请日：2022-03-07

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 徐锐 ,  司俊杰 ,  孙硕 ,  郝晓明 ,  杜逸航 ,  胡乾庆 ,  刘祖刚

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法。上述无铅金属卤化物发光二极管从下到上依次为：ITO层、修饰的空穴注入层、无铅金属卤化物发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的空穴注入层是通过聚苯乙烯磺酸钠（Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)，PSSNa）水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成的。该修饰材料，能够减少空穴注入，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰空穴注入层的无铅金属卤化物发光二极管，性能显著提升。

公开(公告)号：CN114171687A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202010944660.0

申请日：2020-09-10

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李磊 ,  孟琪 ,  金炜 ,  司俊杰 ,  黄杰 ,  刘祖刚

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种无镉基量子点发光二极管制备方法，所述的无镉基量子点发光二极管包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极；所述的阳极为ITO导电玻璃，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS，所述的空穴传输层为Poly‑TPD，所述的量子点发光层为InP，所述的电子传输层为ZnMgO，所述的阴极材料为Ag。制备方法包括，清洗ITO导电玻璃，依次在ITO导电玻璃旋涂PEDOT:PSS、Poly‑TPD、InP量子点、ZnMgO，最后真空蒸镀阴极Ag层，完成器件制备。进一步对器件进行封装获得无镉基量子点发光二极管。本发明采用ZnMgO材料作为电子传输层，有效改善了载流子迁移率，促进载流子平衡，并且通过功能层厚度调控，优化了载流子的注入和传输，进而提高了器件性能。

公开(公告)号：CN113013367A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110226911.6

申请日：2021-03-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 孙硕 ,  司俊杰 ,  刘祖刚 ,  唐莹 ,  张剑飞 ,  徐锐 ,  杜逸航

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其PEDOT:PSS层的修饰方法。上述钙钛矿发光二极管从下到上依次为:ITO层、修饰的PEDOT:PSS层、钙钛矿发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的PEDOT:PSS层是通过聚苯乙烯磺酸钠(Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)average,PSSNa)水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成。该修饰材料，能够提高空穴注入水平，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰PEDOT:PSS层的钙钛矿发光二极管，亮度和外量子效率显著提升。

公开(公告)号：CN221151901U

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202322304920.X

申请日：2023-08-25

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 司俊杰 ,  杜卓鹏 ,  刘祖刚

IPC: H10K50/18 ,  H10K50/11 ,  H10K85/50

Abstract: 本实用新型公开了一种二维‑三维异质结的钙钛矿发光二极管，其结构包括衬底、电子传输层、钙钛矿层、长链有机胺氢溴酸盐修饰层、空穴传输层、电极。本实用新型通过在三维的钙钛矿薄膜上旋涂一层长链有机胺氢溴酸盐的溶液，这样使钙钛矿薄膜与长链有机胺氢溴酸盐接触的地方发生反应，生成一个二维‑三维钙钛矿的异质结结构，该结构可以显著提高钙钛矿发光二极管器件的电致发光亮度，并且能有效的抑制器件的效率在高电流密度下的滚降。