低温表面干模态结霜模拟方法、装置、电子设备和介质

    公开(公告)号:CN112800700B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110395195.4

    申请日:2021-04-13

    Abstract: 本申请公开了一种低温表面干模态结霜模拟方法、装置、电子设备和介质,其中方法包括:基于包含低温表面的流场几何模型,根据当前物理参数,显式求解当前时间步内流场几何模型中相界面网格单元的霜相体积百分数;根据霜相体积百分数,从相界面网格单元中确定被霜相填满的目标网格单元;调整目标网格单元的当前物理参数,用于根据调整后的物理参数确定下一时间步流场几何模型中相界面网格单元的霜相体积百分数。本申请实施例中,通过修改被霜相填满的网格单元的物理参数,使得在新的物理参数基础上,计算得到的下一时间步流场几何模型中相界面网格单元的霜相体积百分数更准确,进而使得低温表面干模态结霜的模拟预测更准确。

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