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公开(公告)号：CN102251224A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110193065.9
申请日：2011-07-11
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C14/35 , C23C14/18 , C22C47/04 , C22C121/02
Abstract: 本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法，一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题，实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本发明通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等，实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜，对SiC纤维进行表面改性。
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公开(公告)号：CN101497536A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810010286.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及复合材料的制备技术，具体地说是一种连续SiC纤维表面C/Al2O3复合梯度涂层的制备方法，按如下步骤操作：第一步，富碳涂层SiC纤维的制备；第二步，将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上，然后放入磁控溅射仪真空室内；第三步，当真空室的真空度优于1.0×10－3Pa时，转动样品支架，对其进行加热、保温；第四步，保温结束后，首先通入氩气，然后通入氧气，使气体充分混合；第五步，启动射频反应溅射电源进行溅射，溅射结束后，关闭气路，保持真空度优于1×10－3Pa下，降温至40℃以下。本发明可以解决一般碳涂层不能满足界面的复杂要求这个技术难题，采用本发明能够制备出强度较高且与钛合金基体界面性能稳定的SiC纤维。
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公开(公告)号：CN1216175C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03111201.3
申请日：2003-03-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及复合材料制备技术，具体地说是一种制备连续SiC纤维增强Ti合金基复合材料的方法。它以聚苯乙烯为粘结剂、二甲苯为溶剂，与Ti合金粉末混合后制备预制带，SiC连续纤维缠绕制成纤维布，二者经除气后升温至热压温度热压得到板状复合材料样品。本发明为低成本制备连续SiC纤维增强Ti合金基复合材料提供了一条可行的技术路线，以价格相对低廉的合金粉末和聚苯乙烯粘结剂为原料，可在简单的设备上制备；制备过程无污染、无材料性能的负面影响；另外，它简单易行、应用范围广。
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公开(公告)号：CN1571625A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03133749.X
申请日：2003-07-18
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H05K3/02
Abstract: 本发明提供的聚苯胺的图形化沉积方法，包括：本发明提供的聚苯胺的图形化沉积方法，包括：①用激光打印机将在计算机中设计的图形或图片打印在透明膜上，②采用苯胺单体溶液，加入掺杂剂，滴加过硫酸铵水溶液，进行现场聚合，③在溶剂中超声振荡清洗，其特征在于：在聚合过程中，在溶液开始大量产生聚苯胺沉淀前将聚酯膜取出，流水清洗干净后，重复上述操作多次。该方法，能够形成十分精细的图案；此外，现场聚合的成本低廉、操作方便，因此这项技术有望用于制造有机电子器件或印刷电路。
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公开(公告)号：CN1532301A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03111201.3
申请日：2003-03-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C22C49/11 , C22C47/14 , C22C47/20 , C22C101/14
Abstract: 本发明涉及复合材料制备技术，具体地说是一种制备连续SiC纤维增强Ti合金基复合材料的方法。它以聚苯乙烯为粘结剂、二甲苯为溶剂，与Ti合金粉末混合后制备预制带，SiC连续纤维缠绕制成纤维布，二者经除气后升温至热压温度热压得到板状复合材料样品。本发明为低成本制备连续SiC纤维增强Ti合金基复合材料提供了一条可行的技术路线，以价格相对低廉的合金粉末和聚苯乙烯粘结剂为原料，可在简单的设备上制备；制备过程无污染、无材料性能的副面影响；另外，它简单易行、应用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108998689A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810720263.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于雷达波吸波材料领域，具体为一种耐高温金属陶瓷吸波材料及其制备方法。以硅酸盐无机联结剂为连续相基体，镍基高温合金粉、SiC粉以及导电炭黑为分散相，通过低温固化、高温烧结而成耐高温金属陶瓷吸波材料。本发明的耐高温金属陶瓷吸波材料在厚度为1mm时，其雷达波平板反射率在12.5～18GHz频率段低于-6dB，表现出非常高效的吸波特性。另外，用本发明方法制备的耐高温吸波材料结构简单、材料的成分和尺寸易于控制、并且制作成本较低，适合工程化应用。
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公开(公告)号：CN102817004B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110184004.6
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法，采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶，在基体上沉积纳米硅薄，采用真空泵组，将真空室内真空抽至10-3-10-4Pa，并对基体加热使基体温度在400-540℃之间，沉积纳米硅时采用Ar气溅射，由电离规管测量气压值，整个沉积过程中气压控制在0.2-1.5Pa，外加电磁线圈电流0-6A，沉积时间为30-90min，即得纳米硅薄膜。本发明采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度，实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积，薄膜晶体结构大范围可控、光学带隙可调。
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公开(公告)号：CN101392357B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200710012877.2
申请日：2007-09-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C22C47/00 , C22C101/14
Abstract: 制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺，其特征在于：首先将SiC纤维和铝合金预制体在固态条件下加压，使SiC纤维和铝基体充分接触；然后再将复合材料在Al合金的固一液线之间保温，使基体处于半熔融状态，破坏了氧化膜的连续结构，也增加了铝基体的流动性。本发明结合传统固态热压法和液态法的优点，这种工艺不但可以促进基体之间的结合，而且可有效抑制界面的有害产物的形成；从而明显改善SiC纤维/铝基复合材料的界面状态，显著提高复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN101581036B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810011416.8
申请日：2008-05-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及复合材料的制备技术，具体地说是一种连续SiC纤维表面C/AlN复合梯度涂层的制备方法。按如下步骤操作：第一步，富碳涂层SiC纤维的制备；第二步，将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上，然后放入磁控溅射仪真空室内；第三步，当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时，转动样品支架，对其进行加热、保温；第四步，保温结束后，首先通入氩气，然后通入氮气，使气体充分混合；第五步，启动射频反应溅射电源进行溅射，溅射结束后，关闭气路，保持真空度优于1×10-3Pa下，降温至40℃以下。本发明可以解决一般碳涂层不能满足界面的复杂要求这个技术难题，采用本发明能够制备出强度较高且与钛合金基体界面性能稳定的SiC纤维。
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公开(公告)号：CN102329511A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010226027.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C08L79/02 , C09D179/02 , C09D7/12 , D01F6/94 , D01F1/06 , H01B1/12 , C09J179/02 , C09J9/02 , C10M161/00 , C10N30/12 , C10N50/10
Abstract: 本发明属于导电高分子材料领域，具体为一种耐脱掺杂性染料掺杂聚苯胺及其制备方法和应用。以对阴离子可诱导聚苯胺加工性为理论基础，通过含磺酸基、羧酸基或金属配位基的可掺杂染料对聚苯胺进行掺杂改性，制备出染料掺杂的导电聚苯胺材料，可用做防腐防污、抗菌、抗静电、导电、电磁屏蔽涂层及纤维等材料，应用于金属防腐、环保处理、催化材料、光电材料、导电塑料及纤维、生物感应等领域。该发明中，可通过原位合成掺杂、浸渍掺杂、热掺杂及研磨掺杂等后续掺杂法来实现染料对聚苯胺的掺杂，该染料掺杂聚苯胺在水、N-甲基吡咯烷酮(NMP)等有机溶剂中，甚至较高温度下均具有较好的耐脱掺杂性，可用于光电材料、抗静电、金属防腐材料等各个领域。
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