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公开(公告)号：CN102817004A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110184004.6
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法，采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶，在基体上沉积纳米硅薄，采用真空泵组，将真空室内真空抽至10-3-10-4Pa，并对基体加热使基体温度在400-540℃之间，沉积纳米硅时采用Ar气溅射，由电离规管测量气压值，整个沉积过程中气压控制在0.2-1.5Pa，外加电磁线圈电流0-6A，沉积时间为30-90min，即得纳米硅薄膜。本发明采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度，实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积，薄膜晶体结构大范围可控、光学带隙可调。
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公开(公告)号：CN102817004B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110184004.6
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法，采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶，在基体上沉积纳米硅薄，采用真空泵组，将真空室内真空抽至10-3-10-4Pa，并对基体加热使基体温度在400-540℃之间，沉积纳米硅时采用Ar气溅射，由电离规管测量气压值，整个沉积过程中气压控制在0.2-1.5Pa，外加电磁线圈电流0-6A，沉积时间为30-90min，即得纳米硅薄膜。本发明采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度，实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积，薄膜晶体结构大范围可控、光学带隙可调。
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公开(公告)号：CN202246841U
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201120231838.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置，其特征在于：所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶，孪生硅靶下方设有基片加热台，基片加热台与孪生硅靶之间设有挡板，基片加热台下方设有一串联的电磁线圈组。本实用新型采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度，实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积，薄膜晶体结构大范围可控、光学带隙可调。
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