-
公开(公告)号:CN114686987A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202210280517.5
申请日:2022-03-21
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途。一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体,所述的无机‑有机杂化半导体材料的化学式为(C6H5CH2NH3)4AgBiBr8。本发明制备了一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体,本发明的有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为405nm的激光照射该单晶晶体探测器件,测试其光电响应。当入射光的功率密度为50.9mW/cm2时,该晶体器件表现出明显的光电导效应,光电流和暗电流的比值可以达到1.8×103。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号:CN106543103B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201610888725.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07C209/00 , C07C211/35 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种发白光的有机‑无机杂化半导体材料[C5H9–NH3]4CdBr6(其中C5H9–NH3为环戊胺阳离子)、晶体及其制备方法和用途。本发明生长出发白光的有机‑无机杂化半导体[C5H9–NH3]4CdBr6的晶体。其具有优异的发白光特性,色坐标为(0.33,0.33),显色指数为92.5;其具有良好的半导体性能。
-
公开(公告)号:CN106893576A
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201710080910.9
申请日:2017-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K9/02 , C07D213/38 , H01L31/02
CPC classification number: C09K9/02 , C07D213/38 , C09K2211/1029 , H01L31/02
Abstract: 本发明涉及一种无机‑有机杂化的热致变色化合物,其特征在于:所述的化合物的化学式为C16H20N2SbBr5。本发明是一种热致变色有机‑无机杂化半导体材料,该化合物合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、热学稳定较高。升温过程中,该材料在25℃到227℃,吸收截止边从570nm提高到800nm。该材料有很好的光电性能,且在改变颜色的情况下,其光电性能发生巨大的变化。可以稳定运用于250摄氏度以下。
-
公开(公告)号:CN106554326A
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201610896334.0
申请日:2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C07D295/023 , G01J1/42
CPC classification number: C07D295/027 , C07B2200/13 , C07D295/023 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5,属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近,在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能,可以用于制作光电导探测器,在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值;本发明的合成制备方法实用性较强,路线简单,易于操作,无需复杂的生产设备,制造成本低,适用于批量生产。
-
公开(公告)号:CN106543103A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610888725.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07C209/00 , C07B2200/13 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , H01L51/005
Abstract: 本发明涉及一种发白光的有机-无机杂化半导体材料[C5H9–NH3]4CdBr6(其中C5H9–NH3为环戊胺阳离子)、晶体及其制备方法和用途。本发明生长出发白光的有机-无机杂化半导体[C5H9–NH3]4CdBr6的晶体。其具有优异的发白光特性,色坐标为(0.33,0.33),显色指数为92.5;其具有良好的半导体性能。
-
-
-
-