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公开(公告)号：CN117393581A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311358353.4
申请日：2023-10-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种MIS晶体管，包括：GaN缓冲层；AlGaN势垒层，形成在GaN缓冲层表面，与GaN缓冲层构成形成AlGaN/GaN异质结；其中，AlGaN势垒层与GaN缓冲层表面之间形成有二维电子气沟道区域；二维电子气层，设置在二维电子沟道区域，其中，在MIS晶体管未增加栅极电压时，二维电子气层在二维电子沟道区域的第一范围内处于电子耗尽状态；AlN极化增强插入层，形成在AlGaN势垒层表面，使二维电子气在二维电子沟道区域的第一范围外为电子积累状态。本发明通过AlGaN势垒层实现了电子的本征耗尽，通过AlN极化增强插入层来恢复电子积累状态，使得MIS晶体管实现了增强型，并具有、高性能、高稳定性和高均匀性。
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公开(公告)号：CN116974978A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310953047.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种混合驱动器及其驱动方法、串行通信设备，涉及通信技术领域，以解决在串行通信设备中，现有的驱动器在实现高差分输出摆幅的同时会增加更多功耗的问题。所述混合驱动器应用于串行通信设备，所述串行通信设备包括串行器，所述混合驱动器和串行器电连接，所述混合驱动器包括：源极串联端接驱动模块、差分对模块以及负载模块。源极串联端接驱动模块的控制端与串行器的输出端电连接，源极串联端接驱动模块还与供电电压端电连接。源极串联端接驱动模块的第一差分输出端通过差分对模块的第一输出端与负载模块的第一端电连接，源极串联端接驱动模块的第二差分输出端通过差分对模块的第二输出端与负载模块的第二端电连接。
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公开(公告)号：CN116666199B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310960260.2
申请日：2023-08-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于临时载体的SiC/金刚石复合衬底制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，解决了现有碳化硅晶圆与金刚石直接键合后高温退火剥离薄膜时存在高应力的问题和键合界面漏电问题。该制造方法包括：向体SiC的表面垂直注入H离子；对体SiC离子注入面表面进行光滑化、原子原位沉积与活化，对Si衬底的表面进行表面活化；将体SiC离子注入面与Si衬底的活化面键合，形成体SiC/Si复合衬底；对体SiC/Si复合衬底进行高温退火，SiC薄膜从体SiC上剥离，与Si衬底构成SiC/Si复合载体；对Si衬底上SiC薄膜表面进行光滑化；将Si衬底上SiC表面与金刚石衬底键合；去除Si衬底。本发明有效解决了金刚石与SiC键合后的高温剥离退火工艺带来的高应力。
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公开(公告)号：CN116436460A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310271094.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种数模转换器的温度计译码电路和数模转换器，该电路包括：第一温度计译码加扰电路和第二温度计译码加扰电路，第一温度计译码加扰电路、第二温度计译码加扰电路均与数模转换器的电流源阵列连接；数模转换器为2n位单位加权的数模转换器，n为正整数；第一温度计译码加扰电路用于对低n位二进制码数据分别进行温度计译码和随机加扰，输出第一组目标温度计码；第二温度计译码加扰电路用于对高n位二进制码数据分别进行温度计译码和随机加扰，输出第二组目标温度计码；第一组目标温度计码和第二组目标温度计码均输入至电流源阵列，以实现电流源阵列的开关时序的控制。本申请降低了电路规模，能够达到功能和电路复杂度的良好折中。
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公开(公告)号：CN116432368A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210003374.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G06F113/18 , G06F119/08
Abstract: 本公开提供一种热电联合仿真方法及装置，方法包括：构建散热模型和热电仿真模型；获取用于表示器件热容随热阻变化规律的实际结构函数；对所述散热模型和热电仿真模型进行校准，以使得根据所述散热模型和热电仿真模型得到的仿真结构函数与所述实际结构函数对应的变化规律一致。该方法及装置可以大幅度提高热电仿真的准确性和精确性，提高了器件的设计和测试的效率，并且，极大地减少浪涌、短路等破坏性试验的次数，降低测试及研发成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344586A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310431333.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，该折叠沟道氮化镓基场效应晶体管包括：基础层；多异质结层，包括在氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层；氮化镓调控层，在多异质结层上从沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽；电流坍塌抑制结构，在多异质结层上形成于沟道区的另一侧，并与氮化镓调控层通过另一部分沟槽隔开；源极和漏极，在氮化镓半绝缘层上分别与多异质结层的两侧接触，漏极与电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于源极与氮化镓调控层之间的异质结上；连接结构，穿过栅极的上方电连接源极与氮化镓调控层。
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公开(公告)号：CN116304857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310068589.8
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F18/241 , G01R31/28 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F17/14 , G06F17/16
Abstract: 本申请提供一种芯片测试数据分析方法及装置，芯片位于晶圆上，方法包括：获取多个晶圆上多个芯片的测试数据，对测试数据进行质量分区，得到每个晶圆的二维的质量矩阵，利用希尔伯特Hilbert曲线对质量矩阵进行扫描，得到一维的晶圆‑希尔伯特扫描序列，将多个晶圆‑希尔伯特扫描序列进行排序，得到多个晶圆的质量序列矩阵，根据质量序列矩阵对多个晶圆上多个芯片的测试数据进行分析，也就是说，通过对包括多个芯片的晶圆对应的质量矩阵进行Hilbert曲线扫描，将质量矩阵中的信息压缩到一个二维的质量序列矩阵中，大大降低了芯片的测试数据的分析难度，提高了晶圆级芯片测试数据的分析效率。
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公开(公告)号：CN116206956A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310217553.1
申请日：2023-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中通过水前驱体辅助生长氧化铝键合晶圆中界面气泡多的问题。所述器件包括第一晶圆、第二晶圆，以及位于所述第一晶圆和第二晶圆之间且从所述第一晶圆至所述第二晶圆依次叠加排列的前驱体臭氧辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层和前驱体臭氧辅助生长氧化铝层，两个所述前驱体水辅助生长氧化铝层之间键合连接。该器件可以有效抑制界面处H2O气泡的产生。
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公开(公告)号：CN115931164A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211422240.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本申请提供一种微区域温度测量方法和系统，该方法包括：将待测温度样品置于加装有亥姆霍兹线圈的载物台上，在待测温度样品上加入具有预设浓度的过氧化氢溶液；将Janus马达放入过氧化氢溶液中，以使Janus马达在过氧化氢溶液作用下自驱运动；控制亥姆霍兹线圈产生外加磁场，以使Janus马达运动至距离待测温度样品预设距离以内的区域；关闭外加磁场，获取预设时长内不同时刻的Janus马达的位置坐标；根据预设时长内不同时刻的Janus马达的位置坐标，计算得到Janus马达当前时间间隔下的均方位移；根据均方位移和当前时间间隔计算得到待测温度样品的温度。从而本申请采用了运动可控的自驱动Janus马达作为微纳尺度下的测温单元，具有操作可靠、便于观测和易于自动化等优点。
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公开(公告)号：CN115796087A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211434684.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例提供了一种集成电路电磁热耦合仿真方法及装置，利用针对集成电路中多个半导体器件以及连接线的几何结构参数和材料特性参数，构建针对该集成电路的电磁热耦合三维初始模型，该模型中将电、磁和热均考虑在内，对电磁热耦合三维初始模型进行有限元仿真，实现针对该集成电路在工作过程中电、磁和热的耦合分布进行仿真，并且分别得到该集成电路的电场分布和热场分布，形成最终的电磁热耦合三维仿真模型，由此可见，本申请中利用针对集成电路中多个半导体器件以及连接线的参数以及结合电磁热三个方面对集成电路进行仿真分析，提高对集成电路在工作状态时的仿真准确性，能够更好地描述集成电路在工作时的电磁热耦合过程。
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