公开(公告)号：CN103794580B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201210418921.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 上海联星电子有限公司 ,  中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 王波 ,  朱阳军 ,  陆江 ,  谈景飞 ,  褚为利 ,  张文亮

IPC: H01L23/38

Abstract: 本发明公开了一种绝缘互联散热板及功率模块，所述绝缘互联散热板包括：热电偶；第一绝缘层，该第一绝缘层的一侧与所述热电偶的冷端接触，另一侧设置有第一金属层；第二绝缘层，该第二绝缘层的一侧与所述热电偶的热端接触。所述绝缘互联散热板通过热电偶进行散热，当热电偶连接电源后，会将热量由冷端传递到热端进而释放。所以采用所述绝缘互联散热板制备功率模块，当功率芯片工作时，产生的热量会随着热电偶的热量传递而释放到功率模块的外部。可见，本申请所述技术方案为主动散热，通过所述绝缘互联散热板，形成一个温度差，更易于将热量释放到功率模块的外部，所述绝缘互联散热板的高散热效率，有效地保证了功率模块性能的稳定性以及可靠性。

公开(公告)号：CN103681817B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201210333617.6

申请日：2012-09-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 谈景飞 ,  朱阳军 ,  王波 ,  张文亮 ,  褚为利

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整栅结构的电压高于集电区电压，则在所述调整栅区域上方会形成一层电子富集的区域，使所述IGBT器件在一定的击穿电压下，载流子在衬底内的漂移区厚度更薄，器件的关断拖尾电流较小，降低了器件在开关状态下的关断损耗；在器件的导通状态下，调整栅结构的电压低于集电区电压，则在所述调整栅结构区域上方会形成一层空穴富集的区域，增加了集电区宽度和载流子浓度，降低了器件在导通状态下的导通损耗。

公开(公告)号：CN102931227B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210449247.2

申请日：2012-11-09

Applicant: 江苏物联网研究发展中心 ,  中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 徐承福 ,  朱阳军 ,  胡爱斌 ,  谈景飞 ,  卢烁今 ,  陈宏 ,  吴凯 ,  邱颖斌

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及一种钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型漂移区正面设栅氧化层，栅氧化层上设多晶栅，在第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区；特征是：所述第一集电金属区是由Se淀积形成的金属薄膜。本发明实现半导体表面钝化的同时，避免了自身电阻过大导致的电流限制作用。

公开(公告)号：CN103855202A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210520131.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 江苏物联网研究发展中心 ,  中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 朱阳军 ,  谈景飞 ,  张杰 ,  胡爱斌 ,  卢烁今

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种IGBT及其元胞结构，和IGBT形成方法，其中，所述元胞结构包括：第一漂移区和位于第一漂移区下表面的第二漂移区，第一漂移区与第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，掺杂区的掺杂类型与第二漂移区的掺杂类型相同，且掺杂区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度；位于第二漂移区背离掺杂区一侧的集电区，集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反，使得本发明所提供的IGBT具有良好的导通损耗与开关损耗之间的折中关系，整体性能比较高。

公开(公告)号：CN103794580A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210418921.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 上海联星电子有限公司 ,  中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 王波 ,  朱阳军 ,  陆江 ,  谈景飞 ,  褚为利 ,  张文亮

IPC: H01L23/38

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种绝缘互联散热板及功率模块，所述绝缘互联散热板包括：热电偶；第一绝缘层，该第一绝缘层的一侧与所述热电偶的冷端接触，另一侧设置有第一金属层；第二绝缘层，该第二绝缘层的一侧与所述热电偶的热端接触。所述绝缘互联散热板通过热电偶进行散热，当热电偶连接电源后，会将热量由冷端传递到热端进而释放。所以采用所述绝缘互联散热板制备功率模块，当功率芯片工作时，产生的热量会随着热电偶的热量传递而释放到功率模块的外部。可见，本发明所述技术方案为主动散热，通过所述绝缘互联散热板，形成一个温度差，更易于将热量释放到功率模块的外部，所述绝缘互联散热板的高散热效率，有效地保证了功率模块性能的稳定性以及可靠性。

公开(公告)号：CN103715083A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210371807.7

申请日：2012-09-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司 ,  江苏物联网研究发展中心

Inventor： 吴振兴 ,  朱阳军 ,  谈景飞 ,  胡爱斌 ,  陆江 ,  喻巧群 ,  陈宏 ,  赵佳

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2636 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明公开了一种FRD的制备方法，包括：在N-型衬底上制备芯片的正面结构；在N-型衬底上制备芯片的背面结构；将所述芯片正面结构上表面涂抹光刻胶，再将多孔铅金属薄膜掩膜板覆盖在光刻胶上，然后对芯片进行曝光形成多孔铅掩膜板的孔区域；将所述经过曝光后的芯片进行电子辐照扫描，并进行电子辐照退火；将所述经过电子辐照退火后的芯片去多孔铅金属薄膜掩膜板，去光刻胶；将所述去光刻胶后的芯片背面通过蒸发金属电极，形成芯片的阴极后，获得成品。本发明提供的FRD的制备方法能控制FRD不同区域寿命，提高FRD的关断速度，降低FRD的开关损耗。