公开(公告)号：CN109545855B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201811381503.2

申请日：2018-11-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  白云 ,  汤益丹 ,  陈宏 ,  田晓丽 ,  王臻星 ,  刘新宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公布了一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法。该方法只需通过两次光刻即可实现栅沟槽、源沟槽的两次刻蚀以及P‑、P+和N+有源区的三次离子注入。其中，栅沟槽刻蚀和P‑、N+注入通过一次光刻和两次自对准工艺实现；源沟槽和P+注入通过一次光刻和一次自对准工艺实现。该方法具有制作精度高且工艺成本低的特点。

公开(公告)号：CN108063088B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201711041879.4

申请日：2017-10-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  王臻星 ,  白云 ,  汤益丹 ,  陈宏 ,  田晓丽 ,  刘新宇

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化反应形成合金过渡层；以及S3，湿法腐蚀去除合金过渡层和未反应的金属层，得到腐蚀区域与刻蚀窗口对应的图形化衬底。上述图形化方法能够使图形化后的SiC衬底能够具有较大的腐蚀深度；并且，上述图形化方法所采用的工艺与现有Si工艺相兼容，也能够兼顾各向同性和各向异性的腐蚀形貌需求；另外，由于上述图形化方法主要采用湿法腐蚀，从而能够有效地避免干法刻蚀工艺对衬底材料带来的刻蚀损伤。