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公开(公告)号：CN119767713A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411683748.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括提供衬底；在衬底一侧形成沟道层；在沟道层背离衬底的一侧形成势垒层；在势垒层背离沟道层的一侧表面形成整面设置的功能层，功能层包括镂空部和氮化钛图案部；在功能层背离势垒层的一侧表面形成整面设置的源漏材料层组，源漏材料层组包括与功能层接触的钛材料层；对功能层、源漏材料层组进行图案化处理和退火处理，以形成源漏功能部，源漏功能部包括间隔设置的源部和漏部。本申请提供的半导体器件的制备方法可提升欧姆接触的性能。
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公开(公告)号：CN118471795A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310119282.6
申请日：2023-02-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种带有漏极场板的器件结构及其制备方法，其中制备方法包括：提供基板，基板包括：衬底、势垒层和钝化层，势垒层和钝化层均位于衬底的上方，钝化层位于势垒层的上方；在钝化层上涂覆光刻胶，以形成光刻层；在光刻层上刻蚀出欧姆窗口，以露出钝化层；通过欧姆窗口对基板进行刻蚀，以形成欧姆凹槽并露出势垒层，欧姆凹槽的侧壁为斜面或球面；在欧姆窗口和欧姆凹槽内淀积导电材料，以形成带有漏极场板的漏极。本发明能够降低结构器件的工艺复杂度，提高器件结构的成品率。
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公开(公告)号：CN112599589B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011496951.4
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底、外延层、势垒层、钝化层、源电极、漏电极、栅电极、跨栅场板和空气层；所述衬底、所述外延层、所述势垒层自底向上依次设置；所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述势垒层上，所述钝化层覆盖所述势垒层上所述源电极、所述漏电极和所述栅电极之间的区域；所述跨栅场板没入所述钝化层且横跨所述栅电极，以提高所述半导体器件的击穿电压。本发明公开的半导体器件，在提高器件击穿电压的同时可以保证较小的寄生电容。
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公开(公告)号：CN110086441A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910352516.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，包括：负反馈网络和功率放大电路；其中，所述功率放大电路包括堆叠式结构的晶体管，且顶层的晶体管的漏极与所述功率放大器的信号输出端连接，所述功率放大器的信号输入端连接所述功率放大电路中底层的晶体管的栅极；所述负反馈网络的一端连接底层的晶体管的栅极，所述负反馈网络的另一端连接顶层的晶体管的漏极。本发明采用负反馈网络以及补偿电容，并将所述负反馈网络的一端连接底层的晶体管的栅极，另一端连接顶层的晶体管的漏极，拓展了功率放大器的工作带宽，提高了功率放大器的增益平坦度，改善了功率放大器的输入匹配特性。
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公开(公告)号：CN119767767A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411811808.8
申请日：2024-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种栅极结构的制备方法。本发明的栅极结构的制备方法，包括如下步骤：S1：在外延片上生长Si3N4/Ti/Al三层结构，随后旋涂光刻胶，光刻出所需大小的栅脚窗口；S2：去除栅脚窗口下方的Al层，随后自对准等离子体刻蚀栅脚窗口下方的Ti层和Si3N4层，再去除光刻胶，形成栅脚槽；S3：旋涂光刻胶，光刻出所需大小的栅帽窗口；S4：淀积栅金属，随后依次去除光刻胶、Al层和Ti层，形成栅极结构。本发明的制备方法采用不同的牺牲层结构和显影方式生成栅槽结构，极大地缩短了光刻时间，降低了成本，保证了栅极结构的合格率，能够良好地满足高频率性能微波毫米波器件的制造需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497198A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011275474.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/40 , H01L21/285 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构，包括栅极、源极及漏极，栅极位于源极及漏极之间，其特征在于，栅极与漏极之间形成有曲面场板结构，其曲面与器件生长方向垂直，通过优化场板结构，可有效抑制HEMT器件的峰值电场，且通过将优化后的场板结构设置在凹槽中，缩短了场板与沟道载流子之间的距离，可进一步有效抑制HEMT器件的峰值电场。本公开还提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN112928022A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110127910.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/311 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种高电子场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，形成露出所述势垒层的第一窗口；在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层；基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层。应用本发明提供的技术方案，可以有效提高AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀重复性以及平整度，降低刻蚀随机性，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119486186A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411583241.3
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其是涉及一种GaN基HEMT器件及其制备方法，其中，所述GaN基HEMT器件的栅介质层为叠层栅介质和单层栅介质中的任意一种，且所述栅介质层包括GeN和GeON介质层中的任意一种。本发明的GaN基HEMT器件，能够有效降低栅介质层的漏电电流，提高器件的耐压能力，而不发生击穿或损坏，并且有助于形成高质量的界面结构，减少界面态对器件性能的不利影响，使其效率和功率性能均得到了显著的提升。因此，本发明不仅拓宽了GaN基HEMT器件栅介质材料的选择范围，更通过精细的材料选择和结构设计，实现了器件性能的显著提升和成本的降低，为GaN基HEMT器件的广泛应用提供了有力支持。
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公开(公告)号：CN113725288B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110888711.7
申请日：2021-08-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 天津环鑫科技发展有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管的栅结构，包括：栅极，设于高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间，两个栅下凹槽，刻蚀形成于高电子迁移率晶体管的势垒层，栅极的栅脚设于两个栅下凹槽之间，其中，部分栅脚至少设于两个栅下凹槽其中一个中。本公开还提供了该栅结构的制备方法。本公开提供的一种高电子迁移率晶体管的栅结构，可以有效调节高电子迁移率晶体管内部的电场分布，以提高其工作电压，增大其输出功率，还可以通过调节栅极的位置，提高高电子迁移率晶体的栅控能力。
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公开(公告)号：CN115346930A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210920752.4
申请日：2022-08-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/29 , H01L29/778 , H01L21/56 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种晶体管器件及其制备方法，晶体管器件包括：衬底；半导体层，设置在衬底上；源漏电极，设置于半导体层上；栅极，设置于半导体层上并位于源漏电极之间；以及钝化层，覆盖栅极和半导体层，钝化层与栅极之间具有空气间隔，以形成空气钝化桥结构。栅极上方的空气桥不影响栅漏电极之间钝化介质与半导体层的接触，确保抑制虚栅效应，同时栅极上方空气介质具有低的介电常数，能够降低寄生电容，这样在保证器件功率特性的同时能够提高器件的频率特性。
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