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公开(公告)号：CN106785854A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510824732.7
申请日：2015-11-23
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种氟化氢激光波长选择输出折叠非稳腔，该谐振腔包括凸形反射镜、45度偏振反射镜、45度全反射镜、凹形反射镜。其中凸形反射镜和凹形反射镜的反射面分别镀有短波长光高透过、长波长光高反射的反射膜，45度偏振反射镜的反射面镀有长波长光高透过、短波长光高反射的反射膜。利用腔内光学元件对腔内不同波长的振荡光的反射率不同，实现不同波长激光的选择性输出。通过腔内设置光学元件位置，分别实现腔内谐振光沿气流方向的束转动，提高输出光斑的空间分布均匀性。这种谐振腔其结构简单，能够实现氟化氢激光单谱线均匀输出。
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公开(公告)号：CN103575663B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210279625.7
申请日：2012-08-07
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种能够精确标定金属及半导体薄膜材料光学常数的方法。该方法适用于任何工艺制备的薄膜态金属和半导体材料，其流程如下：厚度为15-100nm薄膜样品制备；X射线全反射谱法精确标定厚度；透射率谱线及反射率谱线的测试；图形法求解光学常数。本方法与传统的光谱直接分析方法相比，能够解决金属及半导体薄膜厚度精确求解的问题，减少因厚度无法准确标定带来的误差，简化了求解过程，提高了光学常数求解的精度和速度。本方法具有广泛的适用性，能够为所有的涉及金属与半导体薄膜材料光学常数的科学与工程问题提供准确的参考数据。
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公开(公告)号：CN116219396A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111481563.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于材料科学领域，特别设计一种无定形HfO2薄膜及其制备的原子层沉积工艺。该薄膜在100‑350℃的沉积温度范围内保持无定形状态，薄膜物相不随厚度增加改变，薄膜的沉积过程中不同的铪源交替沉积，改变铪原子的吸附晶面，从而抑制结晶过程。所制备氧化铪薄膜表面粗糙度低，薄膜结构均一性高，激光损伤阈值较结晶氧化铪薄膜提升3‑5倍。
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公开(公告)号：CN114597736A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011410918.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及碟片激光器技术领域，特别涉及到一种基于Er的大能量2940纳米脉冲碟片激光器。包括沿着光路依次布设的泵浦源、准直匀化系统、多冲程泵浦腔及谐振腔，其中多冲程泵浦腔内设有碟片晶体、平凹非球面反射镜及多组棱镜组，平凹非球面反射镜为具有中心通孔的环形结构，平凹非球面反射镜用于接收泵浦源发射的泵浦光并且进行聚焦；碟片晶体设置于平凹非球面反射镜的聚焦中心位置，用于泵浦光抽运及产生激光束；多组棱镜组沿周向布设于碟片晶体的周围，用于泵浦光的二次角度转换并且以平行光的形式再次入射至平凹非球面反射镜上。本发明有效降低了晶体的热透镜效应，对于高量子亏损增益介质Er3+掺杂的晶体具有良好的散热效果，可获得更高功率的泵浦。
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公开(公告)号：CN112899620A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911225068.9
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明属于薄膜沉积技术领域，具体涉及一种新型的SiC基底表面改性层的制备技术。与目前主流的磁控溅射技术制备SiC基底改性层不同，本发明使用射频离子束溅射技术。主要原理是使用高纯度的单晶硅靶为原材料。在真空下，使用无污染的射频离子源发射高能离子束轰击硅靶，当轰击粒子能量大于材料逸出功时，Si原子被溅射出靶材表面，以极高的动量沉积在SiC基底表面，最终形成改性层。该制备技术能够沉积极厚的Si改性层(25um以上)，制备的Si改性层晶型为各向同性的无定形态，具有极佳的可抛光性，实施例获得了0.15nm的表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112415641A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011392901.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: G02B1/18 , G02B1/10 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积法制备的镧系氧化物疏水光学薄膜，其膜层材料采用镧系氧化物，该膜层镀于光学镜片基底表面时，不影响原镜片的光学性能。可应用于要求疏水性的光学器件表面，如防污染光学透射镜，反射镜等。本发明的镧系氧化物薄膜须采用原子层沉积镀膜工艺和设备进行制备，疏水性好，光学性能优良，应用广泛。
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公开(公告)号：CN109494551A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710822283.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碟片激光器，包括：LD泵浦源，匀化棒，聚焦系统，聚焦反射镜，反射镜组，碟片晶体、热沉，输出耦合镜等八部分组成。本发明利用半导体激光器对碟片激光器进行端面多次泵浦，通过在聚焦反射镜前端环带上的倾斜通孔，使入射泵浦光直接照射到碟片晶体上，通过反射镜组反射，实现碟片晶体对泵浦光的多次吸收。碟片晶体后表面镀有激光高反膜，与输出耦合镜构成谐振腔，获得激光输出。
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公开(公告)号：CN105714263A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410719272.7
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明涉及一种光学四棱镜镀膜时的装夹方法。该方法包括主盘、棱镜、角度互补块三个部分。主盘上开设有一个形状和尺寸与棱镜下表面相同的通孔，于通孔内壁面上设有用于承载四棱镜和角度互补块的凸台；角度互补块的角度及尺寸设计与棱镜的角度及尺寸保持互补，装夹时，棱镜与角度互补块拼接，一起放入主盘，最后整体装入镀膜机行星夹具即可。该方法可做到一套夹具(一个主盘，三个角度互补块)镀四棱镜的四个面，且镀膜后各个面无膜料衍射，提高了膜层质量，提升了产品品质，减少了夹具投入。该方法适用于各种类型棱镜镀膜时的装夹。该方法使用简单，操作方便，节约夹具成本且有效解决了棱镜斜面镀膜时的装夹难题。
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公开(公告)号：CN103029365A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110300497.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明涉及一种利用磁控溅射制备的、能在中高温(＞400℃)稳定工作的太阳能选择性吸收涂层。包括：合金金属红外高反射层、扩散阻挡层、选择性吸收层及减反射层。与常见的太阳能选择性吸收涂层的双亚层金属陶瓷结构不同，本发明所涉及的涂层仅包含单层金属陶瓷，结构简单；氧化铝层既不但有抗扩散、抗氧化的功能，还可以通过光干涉效应达到增强吸收的效果。在大气质量因子AM1.5条件下，本涂层吸收率≥93％，600℃发射率≤13％，该涂层具有良好的热稳定性，可长期在600℃内的真空环境下使用。本发明在太阳能热利用领域具有重要的实用价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109494551B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201710822283.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碟片激光器，包括：LD泵浦源，匀化棒，聚焦系统，聚焦反射镜，反射镜组，碟片晶体、热沉，输出耦合镜等八部分组成。本发明利用半导体激光器对碟片激光器进行端面多次泵浦，通过在聚焦反射镜前端环带上的倾斜通孔，使入射泵浦光直接照射到碟片晶体上，通过反射镜组反射，实现碟片晶体对泵浦光的多次吸收。碟片晶体后表面镀有激光高反膜，与输出耦合镜构成谐振腔，获得激光输出。
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