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公开(公告)号：CN114628554A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210254828.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件。方法包括：第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；将第一温度升至第二温度，并在第二温度下，在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；将第二温度降低至设定温度，在非掺杂GaN层上生长InGaN量子阱层；在设定温度下，通入NH3，持续生长反应至第一时间，在InGaN量子阱层上获得InGaN量子点，其中，通入NH3流量为1～10slm。本公开通过InGaN层材料生长过程的生长特性直接获得InGaN量子点，具有步骤简单，易操作的优势，显著降低了获得InGaN量子点的工艺复杂度。通过NH3流量改变获得不同直径不同密度的InGaN量子点，进一步优化了InGaN量子点的发光性能，包括发光波长以及发光强度，推进了InGaN量子点在InGaN基光电器件中的应用。
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公开(公告)号：CN1479126A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02142109.9
申请日：2002-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器V形槽固定光纤同轴器件，其中包括：一管壳，该管壳为一圆形壳体；一管座固定在管壳的一端；一内支架固定在管壳内的管座的一面；一带有半导体激光器和光纤的硅热沉固定在内支架上；一背光探测器固定在管壳内的管座的一面；管座引脚插置在管座上；用互连金丝连接半导体激光器、背光探测器和管座引脚。本发明的有益效果是：能够快速简便可靠高效地进行半导体激光器同轴器件的耦合封装，无需人工精确调整光纤位置，达到提高生产效率，降低生产成本的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117937245A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410095461.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：衬底；衬底的一侧依次层叠形成有缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层、复合p型GaN层和欧姆接触层；P型电极形成于欧姆接触层上；N型电极形成于衬底的另一侧；复合p型GaN层包括层叠设置的第一p型GaN层和第二p型GaN层，第一p型GaN层于第一预设温度下形成，第二p型GaN层于第二预设温度下形成，第一预设温度小于第二预设温度。本发明的氮化镓基激光器，有效降低了生长过程中对量子阱结构的热退化作用，同时有效保障p型GaN材料的高质量，进而提升了氮化镓基激光器的光电性能。
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公开(公告)号：CN114825043A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210440820.7
申请日：2022-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种氮化镓基激光器，包括：衬底；缓冲层，制作在衬底的上表面；下限制层，制作在缓冲层的上表面；InxGa1‑xN下波导层，制作在下限制层的上表面；有源区，制作在InxGa1‑xN下波导层的上表面；InxGa1‑xN上波导层，制作在有源区的上表面；电子阻挡层，制作在InxGa1‑xN上波导层的上表面；上限制层，制作在电子阻挡层的上表面；欧姆接触层，制作在上限制层的上表面；P型电极，制作在P型欧姆接触层的上表面；N型电极，制作在衬底的下表面；其中，InxGa1‑xN上波导层的厚度小于InxGa1‑xN下波导层的厚度。本公开提供的氮化镓基激光器具有非对称波导层结构，能够使光场中心远离P型区，有利于减小光学损耗，提高光束质量。
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公开(公告)号：CN1275368C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200310116537.6
申请日：2003-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明一种半导体激光器热沉，其中包括：一热沉；一金属电极和一信号电极位于热沉的上表面；一地电极位于热沉的下表面；一导通孔位于热沉的上表面其中一个金属电极的区域内，并贯穿金属电极、整个热沉及地电极；一金锡焊料柱位于导通孔内。
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公开(公告)号：CN1609644A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200310101471.3
申请日：2003-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有自动识别装置的同轴封装半导体激光器耦合用夹具，包括：一夹具基座为矩形壳体；一TO管夹持具，该TO管夹持具为两矩形片体，该TO管夹持具中的一片固定在夹具基座的顶端，另一片可在夹具基座的顶端自由滑动；一对弹簧连接着TO管夹持具的两片体；一对推把位于TO管夹持具的可滑动片体的两端侧，与该可滑动片体成为一体；一插座，该插座内有4个插孔，该插座固定在夹具基座的顶端，而位于TO管夹持具的两片体的中间；在夹具基座的下部的一条棱边制作出一个定位缺口；若干方形接触电极固定在夹具基座底面上并相互绝缘；一电子识别芯片固定在夹具基座矩形壳体的内部；一识别条形码，该识别条形码贴附在夹具基座的侧面。
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公开(公告)号：CN1595739A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03158482.9
申请日：2003-09-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种插拔式同轴封装半导体激光器批量生产方法，包括如下步骤：a)将完成盖帽工序的半导体激光器装入夹具，写入标识码；b)送入半导体激光器测试系统进行耦合前自动检测；c)进行耦合前筛选，合格产品送入下一工序；d)进行耦合焊接工作；e)送入半导体激光器测试系统进行耦合后自动检测；f)进行老化前筛选，合格产品送入下一工序；g)送入自动老化系统进行老化；h)送入半导体激光器测试系统进行老化后自动检测；I)进行老化后筛选，合格产品送入下一工序；J)对合格产品进行自动标识打印；K)合格的插拔式同轴封装半导体激光器产品下夹具，包装出厂。
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