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公开(公告)号：CN105810722B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610150734.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该碳化硅MOSFET器件包括多个元胞，各元胞之间通过互联金属(12)相连接，每个元胞包括一个栅极、一个栅氧化层、两个源极、一个N型漂移层、一个N+缓冲层、一个N+衬底、漏极和隔离介质。本发明的工艺步骤中，接触区域开孔、蒸发接触金属并剥离使用的光刻板不仅在源极区域有图形，在栅极pad区域也存在图形。
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公开(公告)号：CN109518277A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811309945.6
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法，包括：步骤A：取一碳化硅晶片并清洗干净；步骤B：将碱涂布在碳化硅晶片指定区域；步骤C：在热板上将碳化硅晶片加热至第一温度并保温至指定时间，清洗残碱和反应物；步骤D：完成碳化硅晶片区域腐蚀。本发明避免了传统方法设备庞大，操作繁杂的劣势，并可以针对指定区域进行腐蚀观测，具有简便易行，容易推广等优点。
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公开(公告)号：CN108962977A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810762721.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0684 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/45 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的侧墙栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，并集成肖特基金属接触，第一象限正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；第三象限正向导通时，肖特基二极管率先导通，有效抑制体内寄生PN二极管的导通；反向阻断时，沟槽底部的p型屏蔽层有效屏蔽器件体区的高电场，使得器件栅介质电场和肖特基接触电场大大降低，雪崩发生在器件体区的PN结处。该种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs具有较低的总芯片面积，同时满足良好的第一、三象限导通特性及反向阻断能力，且器件的静态、动态工作可靠性均得到提高。
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公开(公告)号：CN105140106B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510490653.7
申请日：2015-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，包括：步骤1：取一零偏角衬底并清洗；步骤2：在零偏角衬底之上外延硅层；步骤3：升高温度使硅层熔化形成熔融硅层；步骤4：通入碳源，使熔融硅层转变成碳化硅层；步骤5：判断碳化硅层是否达到所需厚度，如果未达到，则重复执行步骤2～步骤4；如果达到，则执行步骤6；步骤6：将未转变成碳化硅层的硅层腐蚀掉，留下完整的碳化硅。本发明利用液硅浸润碳化硅外延表面，并将体系温度升高，提高碳源在液硅中的溶解度，随之采用液相外延生长方法在零偏角碳化硅衬底上进行同质外延生长，可以防止外延层中出现相畴、晶界等缺陷，提高外延层品质，具有很大优势。
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公开(公告)号：CN107749393A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710913890.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法，包括：利用第一石墨烯模板与硅源反应生成第一掺杂类型的第一碳化硅结构；在第一碳化硅结构的横向相邻部位，利用第二石墨烯模板与硅源反应生成第二掺杂类型的第二碳化硅结构；其中，第一石墨烯模板和第二石墨烯模板在同一平面的至少在部分区域上互补。本公开可以制备具有侧向pn结构的原子层厚度低维碳化硅半导体材料，且具有简便易行，容易推广等优点，具有较好的推广应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103882410B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410154760.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。
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公开(公告)号：CN104195629A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410412341.X
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种塔式多片外延生长装置，包括：一塔式片架，该塔式片架包括：三个立柱，每一立柱上开有凹槽，立柱上的凹槽有多个，三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组；托盘，其边缘厚度与每一立柱上的凹槽的高度相同，每个托盘可以稳定固定于一组凹槽中，托盘的个数与凹槽组数相同；其中将三个立柱等距竖立排列，使三个立柱分别位于一等边三角形三个顶点处，将托盘插入到立柱的凹槽内，形成多层、塔式装载的效果。本发明能够为单片直径达六至八英寸、单次装载量高达几十片的外延制备提供装置及方法支持，极大地提高工业化生产效率，如提高产能，提高气体利用率，降低能耗等。
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公开(公告)号：CN103882410A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410154760.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。
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公开(公告)号：CN103441152A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310380403.9
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法，其中沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜的凸台周围的侧壁上，高度与外延薄膜的凸台齐平，并位于保护环上，位于保护环上的部分的高度低于凸台的表面，其断面为L形；一肖特基接触金属，其制作在绝缘介质薄膜的表面，并覆盖外延薄膜凸台的表面；一第一压焊块，其覆盖于肖特基接触金属的表面；一欧姆接触金属，其制作在衬底的背面；一第二压焊块，其制作在欧姆接触金属的背面，其可以进一步降低碳化硅电力电子器件的功耗。
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公开(公告)号：CN102304698B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110264570.8
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
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