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公开(公告)号：CN111785818A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010666456.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/22 , G02B6/122
Abstract: 一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明与现有大多数GaN基波导不同，本发明采用了多孔下包层，由于多孔材料能提供比单层AlGaN下包层更大的折射率差，该结构对传输的光场模式有更好的限制作用，从而降低光场向衬底方向的泄露。
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公开(公告)号：CN107135570A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710252486.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/50
CPC classification number: Y02B20/343 , H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/502
Abstract: 一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述LED器件的负极和可调电阻的一端为输出端。本发明可以适应不同带宽、不同阻抗特性的LED器件，改善可见光通信光源在极端环境下的通信质量。
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公开(公告)号：CN112098786B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910456159.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种适用于光通信发光器件的在线综合测试系统和方法，其系统包括：LED/LD负载电路板、电参数发生及测试装置、交流小信号发生装置、温度控制及探测装置、光信号探测装置、LED/LD调制特性测试系统中央监控及处理计算机。本发明不仅仅可测试其光学特性，而且可以原位进行器件的电学特性、热学特性和交流小信号下器件的频率响应特性随器件结温的变化进行监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112098786A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910456159.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种适用于光通信发光器件的在线综合测试系统和方法，其系统包括：LED/LD负载电路板、电参数发生及测试装置、交流小信号发生装置、温度控制及探测装置、光信号探测装置、LED/LD调制特性测试系统中央监控及处理计算机。本发明不仅仅可测试其光学特性，而且可以原位进行器件的电学特性、热学特性和交流小信号下器件的频率响应特性随器件结温的变化进行监控。
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公开(公告)号：CN115763657A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211408637.5
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法。包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型GaN层，位于所述缓冲层上；n型AlGaN电子阻挡层，位于所述n型GaN层上；InGaN/GaN多量子阱有源区，位于所述n型AlGaN电子阻挡层上；p型GaN层，位于所述InGaN/GaN多量子阱有源区上。本发明提供的LED外延结构降低了电子阻挡层对空穴注入量子阱的阻碍作用，提高了空穴注入效率；并且该LED外延结构还可以提高辐射复合系数，从而同时提高最高光功率和最大调制带宽。
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公开(公告)号：CN111834889B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010719942.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗粒层，形成于所述回音壁谐振腔的侧壁上，用于产生等离激元。本发明采用底部多孔DBR层反射镜对回音壁谐振腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，因而该发明制备的回音壁光泵激光器阈值功率密度较低；此外，包裹在回音壁谐振腔侧壁的金属颗粒会产生等离激元将回音壁模式的光场更好的限制在谐振腔中，进一步降低了阈值功率密度，本发明有助于实现小尺寸低阈值激光器。
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公开(公告)号：CN111769182B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010666521.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用，该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底；一缓冲层；一n型GaN层；一InGaN/GaN多量子阱有源区；‑介质隔离层；‑金属颗粒层；‑介质盖层；一电子阻挡层；以及一p型GaN层。本发明的表面等离激元GaN基LED外延结构包含不多于三对量子阱，由于等离激元与距离其最近的量子阱也即最靠近pgan的量子阱耦合效率最高，因而减小量子阱数目可实现载流子与等离激元耦合的最大化耦合，减小了量子阱增多带来的无效耦合，极大提高辐射复合速率。
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公开(公告)号：CN111834889A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010719942.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗粒层，形成于所述回音壁谐振腔的侧壁上，用于产生等离激元。本发明采用底部多孔DBR层反射镜对回音壁谐振腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，因而该发明制备的回音壁光泵激光器阈值功率密度较低；此外，包裹在回音壁谐振腔侧壁的金属颗粒会产生等离激元将回音壁模式的光场更好的限制在谐振腔中，进一步降低了阈值功率密度，本发明有助于实现小尺寸低阈值激光器。
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