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公开(公告)号：CN118851589A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310480898.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C17/30
Abstract: 本公开提出了一种疏水性宽带减反射涂层的制备方法，包括：将基底放置于带有加热装置的沉积腔室中；基于引发式化学气相沉积技术，向沉积腔室中通入包括引发剂、第一单体和第二单体的第一气体组，引发剂受热分解产生的自由基与第一单体和第二单体在沉积腔室中扩散吸附于基底表面，调控第一气体组的流量比及沉积腔室的压强，以使第一单体发生第一自由基聚合反应，其中，第二单体作为交联剂以使第一自由基聚合反应趋向侧链结晶，在基底表面形成具有蛾眼纳米结构的疏水性宽带减反射涂层。
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公开(公告)号：CN117438472A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311655586.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种混合栅碳化硅场效应管器件，包括：碳化硅外延层，包括第一导电区域、第二导电区域以及第三导电区域，第二导电区域与第三导电区域位于第一导电区域的两侧，第二导电区域和第三导电区域的导电类型相同，并区别于第一导电区域的导电类型；栅介质层，包括第一栅介质、第二栅介质和第三栅介质，第一栅介质覆盖设置于第一导电区域，第二栅介质覆盖设置于第二导电区域，第三栅介质覆盖设置于第三导电区域；第一栅介质为硅基材料，第二栅介质与第三栅介质被构造成紧邻于第一栅介质的两端，第二栅介质与第三栅介质的介电常数均大于第一栅介质的介电常数。
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公开(公告)号：CN112117217A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010991573.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路遥控器装置，包括：多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具，其中，多路遥控器，用于向遥控接收控制板发送切换信号，以控制不同电极线路的切换；遥控接收控制板，设置于电路板上，用于接收多路遥控器发出的用以切换不同电极线路的切换信号；多路继电器，设置于电路板上，并通过电极线路与多路通断指示灯及被测器件样品连接，用于控制电极线路通断；多路通断指示灯，用于指示电极线路通断；供电电源，设置于电路板上，包括相互独立的多路通断指示灯的供电电源和遥控接收控制板的供电电源；测试夹具包括：金属底座、测试夹和针脚，用于夹取及调整器件样品。
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公开(公告)号：CN108023018A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711220163.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L2251/303
Abstract: 一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法，该电池结构包括：阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极，该制备方法包括以下步骤：步骤1：在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiOx的前驱体溶液，烧结，形成致密的CuNiOx空穴传输层；步骤2：在CuNiOx空穴传输层上旋涂一层钙钛矿的前驱体溶液，退火，形成有源层；步骤3：在有源层上旋涂有机聚合物PC61BM溶液，形成电子传输层；步骤4：在电子传输层上旋涂乙酰丙酮锆溶液，制备电子修饰层；步骤5：采用热蒸发的方式在电子修饰层上制备金属电极作为阴极，完成太阳电池的制备。
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公开(公告)号：CN104916782B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510270129.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构，包括：一阴极透明导电衬底：一电子传输层，其制作在阴极透明导电衬底上；一金属‑半导体核壳纳米颗粒层，其制作在电子传输层上；一有源层，其制作在金属‑半导体核壳纳米颗粒层上；一空穴传输层，其制作在有源层上；一阳极电极，其制作在空穴传输层上。本发明是将金属‑半导体核壳纳米颗粒引入电子传输层与有源层界面处，既能够发挥金属表面等离激元增强光吸收的效果，又能避免金属纳米颗粒与有源层直接接触形成电荷复合中心，同时壳层与电子传输层能级匹配，有利于电荷分离和传输。能够有效提高太阳电池光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119008694A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411007660.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种宽禁带MOSFET器件及制造方法。所述宽禁带MOSFET器件包括：碳化硅衬底、碳化硅漂移区、沟道区、源区、栅极结构、漏极以及第一保护层，碳化硅漂移区形成于碳化硅衬底的表面，沟道区及源区形成于碳化硅漂移区的表面；第一保护层包括两个倾斜结构，两个倾斜结构分别位于碳化硅漂移区的两侧；所述倾斜结构包括倾斜部和水平部，倾斜部与源区和碳化硅漂移区的侧壁相接，水平部延伸至碳化硅漂移区的底部，倾斜部相较于水平部的倾斜角度为钝角。本发明的第一保护区为斜角形态，保护区的边界更平缓、圆滑，更容易实现碳化硅漂移区内的横向耗尽，不容易被击穿，可提高器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN117878153A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311662322.8
申请日：2023-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法，其中阶梯型场效应晶体管器件包括：半导体基片；有源区，设置于基片中，有源区包括：屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区，其中，屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯排列，第一屏蔽部和第二屏蔽部之间具有间隙结构；阶梯型结型场效应晶体管区，设置于基片顶部；栅电极接触，覆盖于传输层上方，以构建传输层和导电层之间的电荷输运沟道；介质层；欧姆接触；以及源区金属层。
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公开(公告)号：CN117673156A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311638697.0
申请日：2023-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L23/552 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种基于三栅结构的场效应晶体管器件及其制备方法，其中，基于三栅结构的场效应晶体管器件，包括：半导体基片，自下而上依次包括衬底、缓冲层、漂移层；钝化层；欧姆接触；源区金属层；其中，漂移层中设置有屏蔽层、传输层、掺杂层、导电层和基区层；漂移层的顶部具有沟槽栅结构，沟槽栅结构的底部与屏蔽层之间具有第一间隙，形成第一沟道；传输层包括第一传输部和第二传输部，第一传输部与第二传输部之间为沟槽栅结构；沟槽栅结构的一侧与第一传输部之间具有第二间隙，形成第二沟道；沟槽栅结构的另一侧与第二传输部接触，形成第三沟道。
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公开(公告)号：CN106544638B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201611136315.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。
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公开(公告)号：CN105967139A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610317925.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00087
Abstract: 本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法，包括以下步骤：在硅基体上镀上一层银膜；将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体；将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀；利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞的硅基体以及基于该硅基体的半导体器件。制备的微纳孔洞结构可以在硅发光器件，太阳能电池，传感器等领域得到诸多应用，能够具有优异的电学性能和机械性能。
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