公开(公告)号：CN105047772A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510309152.4

申请日：2015-06-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘炜 ,  赵德刚 ,  陈平 ,  刘宗顺 ,  朱建军 ,  江德生

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上。本发明通过在MQW区内采用InGaN垒层以及增加阶梯层结构，提高空穴的注入效率，减少电子的泄露，同时减小量子阱中的QCSE效应，实现对绿光LED发光效率的提升和对droop效应的抑制。